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    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

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  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

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  • CISSOID 推出工作温度高达175°C的汽车和工业稳压器
    2015-02-12 CISSOID 推出工作温度高达175°C的汽车和工业稳压器
    CISSOID发布CMT-ANTARES;一种新的固定电压5V线性电压调节器,坚固耐用,适用于高可靠性和高温汽车和工业应用。CMT-ANTARES通过5.5V至30V之间的输入电压向输出负载提供高达200mA的电流。输出电压稳定在5V+/-5%,包括所有可能的变化:初始精度、从-55°C到175°C(Tj)的温度变化、线路和负载调节,不仅在高温下可靠运行,而且能够抵御严重的电气异常。
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  • CMT-OPA-PSOIC16-T 高温 高可靠性 四路运算放大器 (175°C)
    2023-06-01 CMT-OPA-PSOIC16-T 高温 高可靠性 四路运算放大器 (175°C)
    CMT-OPA 是一款通用四路运算放大器,适用于 -55 至 225°C 温度范围内的应用。CHT-OPA 可以使用单电源和对称电源运行。电源电压范围为 4.5 至 20V。
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  • CMT-RIV1675A-PSOIC8-T 高温 高可靠性 高速端到端比较器(175°C)
    2023-06-01 CMT-RIV1675A-PSOIC8-T 高温 高可靠性 高速端到端比较器(175°C)
    CMT-VOLGA 是一款单路高速比较器,正常工作温度范围为-55°C至+175°C。该设备从单一的 +5V±10% 电源供电,并具有端到端输入/输出功能。
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  • CMT-TIT9687B-PQFP44-T 高温 高可靠性 栅极驱动器原边 IC (175°C)
    2023-06-01 CMT-TIT9687B-PQFP44-T 高温 高可靠性 栅极驱动器原边 IC (175°C)
    CMT-HADES2P是一款高温、高可靠性的单片主侧栅极驱动器解决方案。它实现了电流模式控制的DC-DC反激式转换器,用于生成车载电源和从外部控制接口到2个二次侧的隔离数据传输,并执行本地故障管理。该器件的设计方式是尽可能多地减少所需的外部无源器件的数量,并限制对高电容器值的要求(高温下的大占地面积)。其特点是对输入电源进行UVLO监测,使用线性电压调节器生成本地5V电源电压,并向次级侧对数据信号进行开/关键控调制。它为输入PWM信号提供了宽的电压范围(5至15V)和磁滞,以增强对系统噪声的免疫力;它还具有对PWM信号的尖峰滤波功能,以防止瞬间的虚假开启/关闭。
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  • CMT-TIT0521B-PQFP44-T 高温 高可靠性 栅极驱动器二次侧 IC (175°C)
    2023-06-01 CMT-TIT0521B-PQFP44-T 高温 高可靠性 栅极驱动器二次侧 IC (175°C)
    CMT-HADES2S 是一款高温、高可靠性的单芯片全集成栅极驱动器,专门设计用于驱动宽带隙高压/大功率晶体管,特别是氮化镓 (GaN) 和碳化硅 (SiC) 器件。由于其体积小且所需的外部组件数量少,它提供了市场上最紧凑的解决方案。它还具有业内同类产品中最高的输出电流。CMT-HADES2S 可在标准温度应用(例如 125°C)中与标准硅 MOSFET 和 IGBT 一起使用,与传统解决方案相比,它可将可靠性和使用寿命提高一个数量级。该电路具有推挽式晶体管,每个晶体管能够提供/吸收高达 12A 的电流。它还包括软关断、欠压锁定、去饱和检测、有源米勒钳位、过热检测和主要功能的隔离接口。CMT-HADES2S 可以单独使用,也可以与 CMT-HADES2P 结合使用,CMT-HADES2P 可以生成控制信号来驱动高带宽晶体管。
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