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    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

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    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

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  • CISSOID 现已推出新型高温 1200V/10A SiC MOSFET CHT-NEPTUNE
    2013-02-28 CISSOID 现已推出新型高温 1200V/10A SiC MOSFET CHT-NEPTUNE
    CHT-NEPTUNE是CISSOID公司在解决高温环境下功率转换器和电机驱动器问题时推出的高压功率开关产品,采用密封的TO-257金属封装,具有低结壳热阻和超过1200V的击穿电压,可在-55°C至+225°C的温度范围内稳定运行。该产品可通过典型栅极电压来控制,具有低温且与温度无关的开关能量。CISSOID公司还提供了与CHT-NEPTUNE配套的栅极驱动器解决方案,协助客户实现快速可靠的系统设计。
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  • IO-1210 TO-257 1200V/10A 碳化硅肖特基二极管
    2023-05-30 IO-1210 TO-257 1200V/10A 碳化硅肖特基二极管
    IO-1210 是采用 TO-257 密封金属封装的高温碳化硅 (SiC) 肖特基二极管。它适用于实现高效电源电压整流器,例如在 AC-DC 转换器中。本产品保证在 -55°C 至 +210°C (Tj) 的整个范围内正常运行。该器件的击穿电压超过 1200V,能够切换高达 10A 的电流。SiC 肖特基二极管在 10A 时的正向电压为 1.2V。在 175°C (Tc) 时,最大连续直流电流为 10A。重复峰值 Fwd 浪涌电流为 12A。
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  • CHT-NEPTUNE-1210 高温 高压 1200V 10A SIC功率MOSFET
    2023-05-30 CHT-NEPTUNE-1210 高温 高压 1200V 10A SIC功率MOSFET
    NEPTUNE-1210 是一种高温、高压、碳化硅 (SiC) MOSFET 开关。它采用金属 TO-257 封装——金属外壳与开关端子隔离。该产品保证在 -55°C 至 +225°C 的整个范围内正常运行。该器件的击穿电压超过 1200V,并且能够在最高温度 (225°C) 下切换高达 10A 的电流。该器件具有可用作续流二极管的体二极管。这个新版本 D (PLA8543D) 取代了过时的版本 C (PLA8543C),提供更低的导通电阻和等效的开关能量。
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