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    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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  • CMT-STA4453A-PSOIC8-EP 专为高温工业和航空航天环境设计并通过认证
    2023-06-14 CMT-STA4453A-PSOIC8-EP 专为高温工业和航空航天环境设计并通过认证
    CMT-STA4453 是CISSOID生产的一款稳压器芯片,专为高温工业和航空航天环境设计并通过认证。它是一种耐高温、高可靠性、50mA 可调线性稳压器,适用于从+4.5V 至+35V 电压源产生+3.3V 至+28V 范围内的任何稳压电压。其工作结温范围为 -55°C 至 +175°C。该稳压器通过内置限流器和热保护进行自我保护。CMT-STA4453 的工作环境和工作温度优于传统半导体支持的温度的应用,在高温工作环境下具有独特优势。CMT-STA4453 采用PSOIC8封装,可实现小 PCB 占位面积。
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