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    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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  • 三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台
    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

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  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

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  • CMT-TIT8244A 高温 1700V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    2023-06-01 CMT-TIT8244A 高温 1700V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    CMT-TIT8244是一款针对额定温度为125°C(Ta)的62mm碳化硅(SiC)MOSFET功率模块进行优化的栅极驱动器板。该板基于CISSOID HADES栅极驱动器芯片组,为汽车和工业应用中的高密度功率转换器的设计提供了热余量。它实现了高频(>100KHz)和快速的SiC MOSFET开关(dV/dt>50KV/µs),提高了功率转换器的效率,并减小了其尺寸和重量。该板设计用于恶劣的电压环境,支持1700V电源模块的驱动,隔离电压高达3600V(50Hz,1min),爬电距离为14mm。欠压锁定(UVLO)、有源米勒箝位(AMC)和去饱和检测等保护功能可确保电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
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  • CISSOID 扩展了其高温 SIC功率模块的产品范围
    2015-12-10 CISSOID 扩展了其高温 SIC功率模块的产品范围
    CISSOID扩展了其用于功率转换和电机驱动应用的高温碳化硅(SiC)功率模块系列:CHT-PLUTO SiC MOSFET模块和CHT-EUROPA SiC肖特基二极管模块的额定工作温度在-55°C至+225°C之间。
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  • CMT-TIT8243A 高温 1200V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    2023-06-01 CMT-TIT8243A 高温 1200V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    CMT-TIT8243 是一款针对额定温度为 125°C (Ta) 的 62mm 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块优化的栅极驱​​动器板。该板基于 CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度功率转换器设计提供热裕量。它可实现高频 (>100KHz) 和快速 SiC MOSFET 的开关 (dV/dt>50KV/µs),从而提高效率并减小功率转换器的尺寸和重量。该板专为恶劣电压环境而设计,支持驱动隔离电压高达 3600V(50Hz,1 分钟)且爬电距离为 14mm 的 1200V 电源模块。欠压闭锁(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱和检测等保护功能确保了电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
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  • CMT-TIT0697A 高温 1200V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    2023-06-01 CMT-TIT0697A 高温 1200V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    CMT-TIT0697 是一款针对额定温度为 125°C (Ta) 的 XM3 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块优化的栅极驱​​动器板。该板基于 CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度功率转换器设计提供热裕量。它可实现高频 (>100KHz) 和快速 SiC MOSFET 的开关 (dV/dt>50KV/µs),从而提高效率并减小功率转换器的尺寸和重量。该板专为恶劣电压环境而设计,支持驱动隔离电压高达 3600V(50Hz,1 分钟)且爬电距离为 14mm 的 1200V 电源模块。欠压锁定(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱和检测等保护功能确保了电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
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  • CHT-PLUTO-C1220 1200V/20A 降压或升压 SIC MOSFET 模块
    2023-05-30 CHT-PLUTO-C1220 1200V/20A 降压或升压 SIC MOSFET 模块
    CHT-PLUTO-C1220是一款高温1200V/20A降压或升压模块,即一个包含一个碳化硅(SiC)MOSFET和一个碳化硅肖特基二极管的模块,彼此独立。适用于在高温环境下实现高效 Buck(降压)或 Boost(升压)DC-DC 转换器。本产品保证在 -55°C 至 +210°C (Tj) 的整个范围内正常运行。每个器件的击穿电压都超过 1200V,并且能够切换高达 20A 的电流。SiC MOSFET 的导通电阻在 25°C 时为 60mΩ,在 210°C 和 VGS=20V 时为 120mΩ。SiC 肖特基二极管在 20A 时的正向电压为 1.5V。
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  • CHT-PLUTO-C1230 1200V/30A 降压或升压 SIC MOSFET 模块
    2023-05-30 CHT-PLUTO-C1230 1200V/30A 降压或升压 SIC MOSFET 模块
    CHT-PLUTO-C1230是一款高温1200V/30A降压或升压模块,即一个包含一个碳化硅(SiC)MOSFET和一个碳化硅肖特基二极管的模块,相互独立。适用于在高温环境下实现高效 Buck(降压)或 Boost(升压)DC-DC 转换器。本产品保证在 -55°C 至 +210°C (Tj) 的整个范围内正常运行。每个器件的击穿电压都超过 1200V,并且能够切换高达 30A 的电流。SiC MOSFET 的导通电阻在 25°C 时为 20mΩ,在 210°C 且 VGS = 20V 时为 60mΩ。SiC 肖特基二极管在 30A 时的正向电压为 1.35V。
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  • CHT-PLUTO-B1220   1200V/20A双SIC MOSFET模块
    2023-05-30 CHT-PLUTO-B1220 1200V/20A双SIC MOSFET模块
    CHT-PLUTO-B1220 是一款采用单个密封模块的高温 1200V/20A 双碳化硅 MOSFET。本征体二极管可以用作续流二极管,建议使用小占空比来限制损耗。它适用于在高温环境下为 DC-DC 转换器或电机驱动等应用实施功率半桥。两个独立的开关可以并联使用以提供总计 40A 的电流。本产品保证在 -55°C 至 +210°C (Tj) 的整个范围内正常运行。每个 MOSFET 的击穿电压都超过 1200V,并且能够切换高达 20A 的电流。它们的导通电阻在 25°C 时为 40mΩ,在 210°C 和 VGS=20V 时为 120mΩ。
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  • CHT-PLUTO-B1230   高温 高压 1200V/30A 双SIC MOSFET模块
    2023-05-30 CHT-PLUTO-B1230 高温 高压 1200V/30A 双SIC MOSFET模块
    CHT-PLUTO-B1230 是一款采用单个密封模块的高温 1200V/30A 双碳化硅 MOSFET。本征体二极管可以用作续流二极管,建议使用小占空比来限制损耗。它适用于在高温环境下为 DC-DC 转换器或电机驱动等应用实施功率半桥。两个独立的开关可以并联使用以提供总计 60A 的电流。本产品保证在 -55°C 至 +210°C (Tj) 的整个范围内正常运行。每个 MOSFET 的击穿电压都超过 1200V,并且能够切换高达 30A 的电流。它们的导通电阻在 25°C 时为 20mΩ,在 210°C 和 VGS=20V 时为 60mΩ。
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  • CMT-PLA9869A-TO247  SIC MOSFET 1200V/40MOHMS
    2023-05-30 CMT-PLA9869A-TO247 SIC MOSFET 1200V/40MOHMS
    CMT-PLA9869 是一款高温高压碳化硅 (SiC) MOSFET 晶体管,采用标准 TO-247 封装。该产品保证在 -55°C 至 +175°C (Tj) 的整个范围内正常运行。该器件的击穿电压超过 1200V,可切换高达 60A 的电流。该器件具有可用作续流二极管的体二极管。
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