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    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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  • 三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台
    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

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  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

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  • CMT-TIT8244A 高温 1700V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    2023-06-01 CMT-TIT8244A 高温 1700V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    CMT-TIT8244是一款针对额定温度为125°C(Ta)的62mm碳化硅(SiC)MOSFET功率模块进行优化的栅极驱动器板。该板基于CISSOID HADES栅极驱动器芯片组,为汽车和工业应用中的高密度功率转换器的设计提供了热余量。它实现了高频(>100KHz)和快速的SiC MOSFET开关(dV/dt>50KV/µs),提高了功率转换器的效率,并减小了其尺寸和重量。该板设计用于恶劣的电压环境,支持1700V电源模块的驱动,隔离电压高达3600V(50Hz,1min),爬电距离为14mm。欠压锁定(UVLO)、有源米勒箝位(AMC)和去饱和检测等保护功能可确保电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
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  • 2024-06-27 提高 PMSM 效率并减少发热量 实施和验证高功率空间矢量控制 SiC 逆变器 PMSM 驱动器的简化死区补偿方案
    ‌    在拉合尔管理科学大学举办的第 25 届 IEEE 电力电子控制与建模研讨会上,我们的工程师将介绍一种驱动永磁同步电机时死区补偿的简化方法。     该方案计算量较少,通过抑制电压误差和低阶谐波,可使总谐波失真 (THD) 降低 4%,从而减少电机中涡流引起的热量积聚。        摘要 — 实施死区是强制性的,以避免三相半桥
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  • CISSOID 首席技术官 Pierre Delatte 在《Bodo 电源系统杂志》上发表了“用于半桥 SiC MOSFET 62mm 电源模块的高温栅极驱动器”
    2019-09-03 CISSOID 首席技术官 Pierre Delatte 在《Bodo 电源系统杂志》上发表了“用于半桥 SiC MOSFET 62mm 电源模块的高温栅极驱动器”
    为了充分利用快速开关和低损耗 SiC MOSFET,需要获得具有低寄生电感的优化电源模块,并拥有强大而快速的栅极驱动器来可靠、高效地驱动它们。
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  • CISSOID 在 HiTEN 2017 上展示新型高温 SiC 器件
    2017-07-06 CISSOID 在 HiTEN 2017 上展示新型高温 SiC 器件
    CISSOID 工程副总裁 Etienne Vanzieleghem 将展示新型高温半桥 1200V/30A SiC MOSFET 智能功率模块。欢迎您参观我们的展位并与 CISSOID 团队会面,讨论我们采用 TO-257 金属封装的新型高压 SiC MOSFET 和二极管。
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  • CHT-HYPERION-CSOIC28-T 高温 高可靠性  40V 半桥栅极驱动器
    2023-06-01 CHT-HYPERION-CSOIC28-T 高温 高可靠性 40V 半桥栅极驱动器
    HYPERION适用于驱动DC-DC转换器中的MOSFET,以及电机控制应用和功率逆变器中的半桥栅极驱动器设计。典型的导通电阻为1欧姆,在200°C时,高侧和低侧都可以驱动高达1 nF的负载,传播延迟为40 ns,过渡时间为15 ns。内部自适应非重叠电路在MOSFET驱动应用中使用时,通过防止同时导通,进一步降低了开关损耗。高侧浮动驱动器是自举的,并且可以在自举节点上适应高达55V的电压。欠压锁定功能保持高压侧开关断开,直到驱动器具有足够的电压进行正确操作。撬棍输入独立于输入信号状态开启低侧驱动器,并且低侧禁用引脚允许在非同步模式下操作。关闭引脚关闭高侧驱动器和低侧驱动器。
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  • CMT-TIT8243A 高温 1200V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    2023-06-01 CMT-TIT8243A 高温 1200V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    CMT-TIT8243 是一款针对额定温度为 125°C (Ta) 的 62mm 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块优化的栅极驱​​动器板。该板基于 CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度功率转换器设计提供热裕量。它可实现高频 (>100KHz) 和快速 SiC MOSFET 的开关 (dV/dt>50KV/µs),从而提高效率并减小功率转换器的尺寸和重量。该板专为恶劣电压环境而设计,支持驱动隔离电压高达 3600V(50Hz,1 分钟)且爬电距离为 14mm 的 1200V 电源模块。欠压闭锁(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱和检测等保护功能确保了电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
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  • CMT-TIT0697A 高温 1200V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    2023-06-01 CMT-TIT0697A 高温 1200V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器
    CMT-TIT0697 是一款针对额定温度为 125°C (Ta) 的 XM3 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块优化的栅极驱​​动器板。该板基于 CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组,可为汽车和工业应用中的高密度功率转换器设计提供热裕量。它可实现高频 (>100KHz) 和快速 SiC MOSFET 的开关 (dV/dt>50KV/µs),从而提高效率并减小功率转换器的尺寸和重量。该板专为恶劣电压环境而设计,支持驱动隔离电压高达 3600V(50Hz,1 分钟)且爬电距离为 14mm 的 1200V 电源模块。欠压锁定(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱和检测等保护功能确保了电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
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  • CMT-PLA8963 高温高功率半桥1200V/200A IGBT 功率模块
    2023-05-30 CMT-PLA8963 高温高功率半桥1200V/200A IGBT 功率模块
    CMT-PLA8963是一款高温高功率半桥IGBT功率模块,采用标准62mm功率封装。该产品保证在 -55°C 至 +175°C (Tj) 的整个范围内正常运行。该器件的击穿电压超过 1200V,可切换高达 200A 的电流。该器件具有与 IGBT晶体管并联的续流二极管。
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  • CMT-PLA2218 高温高功率半桥1200V/340A IGBT 功率模块
    2023-05-30 CMT-PLA2218 高温高功率半桥1200V/340A IGBT 功率模块
    CMT-PLA2218是一款高温高功率半桥IGBT功率模块,采用标准62mm功率封装。该产品保证在 -55°C 至 +175°C (Tj) 的整个范围内正常运行。该器件的击穿电压超过 1200V,可切换高达 300A 的电流。该器件具有与 IGBT 晶体管并联的续流二极管。
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