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CHT-PLUTO-C1220 1200V/20A 降压或升压 SIC MOSFET 模块

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  • 型号:

    CHT-PLUTO-C1220
  • 产品介绍

规格参数

  • 温度范围:-55°C 至 +210°C
  • 漏极电压高达 1200V
  • 最大漏极电流 @ 175°C (Tc):17A DC(每个开关)
  • 导通电阻 Ron = 60mΩ @ 25°C 和 120mΩ @ 210°C(每个开关)
  • 栅源电压Vgs=-5V to +20V
  • 二极管正向电压:20A 时为 1.5V
  • 带隔离外壳的密封封装

 

应用场景

  • 直流电机驱动和执行器控制
  • 直流-直流转换器
  • AC-DC转换器和逆变器

如果您的高温设计需要支持,请联系我们

 

CHT-PLUTO-C1230_C1220_functional_diagram.png                  CHT-PLUTO-C1230_C1220封装
 

带 CHT-PLUTO-C1230 的降压转换器CHT-PLUTO-C1230_C1220_Boost_configuration.png
降压配置(降压)升压配置(升压)

 

订购信息

产品名称型号
封装丝印
CHT-PLUTO-C1220CHT-PLA3777A-HM8A-THM8ACHT-PLA3777A

 

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