other
热门产品
  • EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

    查看详细
  • 三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台
    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

    查看详细
  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

    CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

    查看详细
  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

    查看详细
  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

    查看详细

CHT-PLUTO-C1230 支持 高温1200V/30A降压或升压模块,即一个包含一个碳化硅(SiC)MOSFET和一个碳化硅肖特基二极管的模块,相互独立
CHT-PLUTO-C1230 支持 高温1200V/30A降压或升压模块,即一个包含一个碳化硅(SiC)MOSFET和一个碳化硅肖特基二极管的模块,相互独立

CHT-PLUTO-C1230 1200V/30A 降压或升压 SIC MOSFET 模块

CHT-PLUTO-C1230是一款高温1200V/30A降压或升压模块,即一个包含一个碳化硅(SiC)MOSFET和一个碳化硅肖特基二极管的模块,相互独立。适用于在高温环境下实现高效 Buck(降压)或 Boost(升压)DC-DC 转换器。本产品保证在 -55°C 至 +210°C (Tj) 的整个范围内正常运行。每个器件的击穿电压都超过 1200V,并且能够切换高达 30A 的电流。SiC MOSFET 的导通电阻在 25°C 时为 20mΩ,在 210°C 且 VGS = 20V 时为 60mΩ。SiC 肖特基二极管在 30A 时的正向电压为 1.35V。
  • 型号:

    CHT-PLUTO-C1230
  • 产品介绍

规格参数

  • 温度范围:-55°C 至 +210°C
  • 漏极电压高达 1200V
  • 最大漏极电流 @ 175°C (Tc):25A DC(每个开关)
  • 导通电阻 Ron = 20mΩ @ 25°C 和 60mΩ @ 210°C(每个开关)
  • 栅源电压Vgs=-5V to +20V
  • 二极管正向电压:30A 时为 1.35V
  • 带隔离外壳的密封封装

 

应用场景

  • 直流电机驱动和执行器控制
  • 直流-直流转换器
  • AC-DC转换器和逆变器

如果您的高温设计需要支持,请联系我们

 

CHT-PLUTO-C1230_C1220功能图                  CHT-PLUTO-C1230_C1220封装
  

带 CHT-PLUTO-C1230 的降压转换器带 CHT-PLUTO-C1230 的升压​​转换器
降压配置(降压)升压配置(升压)

 

订购信息

产品名称型号
封装丝印
CHT-PLUTO-C1230CHT-PLA2228A-HM8A-THM8ACHT-PLA2228A

 

产品询价
如果您对我们的产品感兴趣并想了解更多详细信息,请在此处留言,我们将尽快回复您。
相关产品
EVK-PLA1050B-96 800V/400A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
EVK-PLA1050B-96 800V/400A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
这款‌SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于Silicon Mobility的OLEA® APP INVERTER应用软件,实现了模块化的电气和机械集成。
EVK-PLA1050B-94 800V/275A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
EVK-PLA1050B-94 800V/275A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
这款‌SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于Silicon Mobility的OLEA® APP INVERTER应用软件,实现了模块化的电气和机械集成。
EVK-PLA1050B-76 650V/400A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
EVK-PLA1050B-76 650V/400A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
‌这款SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),并结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于OLEA® APP INVERTER的应用软件,从而实现了模块化的电气和机械集成。
EVK-PLA1050B-74 650V/275A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
EVK-PLA1050B-74 650V/275A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
这款SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),并结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于OLEA® APP INVERTER的应用软件,从而实现了模块化的电气和机械集成。
EVK-PLA1060A车载逆变器参考设计
EVK-PLA1060A车载逆变器参考设计
基于 CISSOID 的SiC逆变控制模块(ICMs),提供广泛的电压和功率范围,参考设计可支持高达850V的工作母线电压和350kW的功率输出,达到出色的52kW/升功率密度(60s峰值功率)。
CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块
CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
CXT-ICM3SA12450AAA 三相全桥1200V/450A   SiC 逆变开发套件模块
CXT-ICM3SA12450AAA 三相全桥1200V/450A SiC 逆变开发套件模块
CXT-ICM3SA12450AAA 是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/450A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
CXT-ICM3SA12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
CXT-ICM3SA12340AAA 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块
CXT-ICM3SA12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

Cissoid授权代理商:深圳市邦晶科技有限公司 版权所有 © 2008-2024 Inc. 粤ICP备2023088585号 网站地图 

IPv6 network supported