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CHT-PLUTO-B1230 高温 高压 1200V/30A 双SIC MOSFET模块
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CHT-PLUTO-B1230 是一款采用单个密封模块的高温 1200V/30A 双碳化硅 MOSFET。本征体二极管可以用作续流二极管,建议使用小占空比来限制损耗。它适用于在高温环境下为 DC-DC 转换器或电机驱动等应用实施功率半桥。两个独立的开关可以并联使用以提供总计 60A 的电流。本产品保证在 -55°C 至 +210°C (Tj) 的整个范围内正常运行。每个 MOSFET 的击穿电压都超过 1200V,并且能够切换高达 30A 的电流。它们的导通电阻在 25°C 时为 20mΩ,在 210°C 和 VGS=20V 时为 60mΩ。
  • 型号:

    CHT-PLUTO-B1230
  • 产品介绍

规格参数

  • 温度范围:-55°C 至 +210°C
  • 漏极电压高达 1200V
  • 最大漏极电流 @ 175°C (Tc):25A DC(每个开关)
  • 导通电阻 Ron = 20mΩ @ 25°C 和 60mΩ @ 210°C(每个开关)
  • 栅源电压Vgs=-5V to +20V
  • 带隔离外壳的密封封装

 

应用场景

  • 直流电机驱动和执行器控制
  • 直流-直流转换器
  • AC-DC转换器和逆变器

如果您的高温设计需要支持,请联系我们

 

CHT-PLUTO-B1230_B1220功能图                  CHT-PLUTO-A1230_A1220_B1230_B1220封装

 

订购信息

产品名称型号
封装丝印
CHT-PLUTO-B1230CHT-PLA2316A-HM8A-THM8ACHT-PLA2316A

 

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