other
热门产品
  • EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

    查看详细
  • 三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台
    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

    查看详细
  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

    CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

    查看详细
  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

    查看详细
  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

    查看详细

NEPTUNE-1210- TO-257 高温高压1200V 10A SIC功率MOSFET
NEPTUNE-1210- TO-257 高温高压1200V 10A SIC功率MOSFET

CHT-NEPTUNE-1210 高温 高压 1200V 10A SIC功率MOSFET

NEPTUNE-1210 是一种高温、高压、碳化硅 (SiC) MOSFET 开关。它采用金属 TO-257 封装——金属外壳与开关端子隔离。该产品保证在 -55°C 至 +225°C 的整个范围内正常运行。该器件的击穿电压超过 1200V,并且能够在最高温度 (225°C) 下切换高达 10A 的电流。该器件具有可用作续流二极管的体二极管。
这个新版本 D (PLA8543D) 取代了过时的版本 C (PLA8543C),提供更低的导通电阻和等效的开关能量。
  • 型号:

    CHT-NEPTUNE-1210
  • 产品介绍

规格参数

  • 温度范围:-55°C 至 +225°C
  • 漏极电压高达 1200V
  • 最大漏极电流 @ 225°C:10A DC
  • RDSon= 40mΩ @ 25°C 和 120mΩ @ 225°C 
  • Vgs=-4V 至 +20V
  • 金属 TO-257 封装
  • 与封装外壳电气隔离的引脚

应用场景

  • 高温、高功率密度和长寿命电源转换器
  • 用于执行器和电机控制的 DC-AC 转换器
  • 直流-直流转换器
  • AC-DC转换器和电池充电器

如果您的高温设计需要支持,请联系我们

 

订购信息

产品名称型号
封装丝印
CHT-NEPTUNE-1210CHT-PLA8543D-TO257-TTO-257CHT-PLA8543D

 

产品询价
如果您对我们的产品感兴趣并想了解更多详细信息,请在此处留言,我们将尽快回复您。
相关产品
EVK-PLA1050B-96 800V/400A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
EVK-PLA1050B-96 800V/400A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
这款‌SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于Silicon Mobility的OLEA® APP INVERTER应用软件,实现了模块化的电气和机械集成。
EVK-PLA1050B-94 800V/275A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
EVK-PLA1050B-94 800V/275A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
这款‌SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于Silicon Mobility的OLEA® APP INVERTER应用软件,实现了模块化的电气和机械集成。
EVK-PLA1050B-76 650V/400A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
EVK-PLA1050B-76 650V/400A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
‌这款SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),并结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于OLEA® APP INVERTER的应用软件,从而实现了模块化的电气和机械集成。
EVK-PLA1050B-74 650V/275A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
EVK-PLA1050B-74 650V/275A 三相碳化硅模块化逆变器参考设计
这款SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),并结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于OLEA® APP INVERTER的应用软件,从而实现了模块化的电气和机械集成。
EVK-PLA1060A车载逆变器参考设计
EVK-PLA1060A车载逆变器参考设计
基于 CISSOID 的SiC逆变控制模块(ICMs),提供广泛的电压和功率范围,参考设计可支持高达850V的工作母线电压和350kW的功率输出,达到出色的52kW/升功率密度(60s峰值功率)。
CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块
CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
CXT-ICM3SA12450AAA 三相全桥1200V/450A   SiC 逆变开发套件模块
CXT-ICM3SA12450AAA 三相全桥1200V/450A SiC 逆变开发套件模块
CXT-ICM3SA12450AAA 是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/450A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
CXT-ICM3SA12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
CXT-ICM3SA12340AAA 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块
CXT-ICM3SA12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

Cissoid授权代理商:深圳市邦晶科技有限公司 版权所有 © 2008-2024 Inc. 粤ICP备2023088585号 网站地图 

IPv6 network supported