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该板专为恶劣电压环境而设计,支持驱动隔离电压高达 3600V(50Hz,1 分钟)且爬电距离为 14mm 的 1200V 电源模块。欠压闭锁(UVLO)、有源米勒钳位(AMC)和去饱和检测等保护功能确保了电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
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CMT-TIT0697A 高温 1200V 半桥 SIC MOSFET 栅极驱动器

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  • 型号:

    CMT-TIT0697
  • 产品介绍

规格参数

  • 设计用于驱动 XM3 1200V/300A SiC MOSFET 模块

  • 工作温度:-40°C 至 125°C

  • 母线电压:最大1200V

  • 14 毫米爬电距离/12 毫米间隙

  • 隔离:3600VAC @50Hz (1min)

  • >50KV/µs dV/dt 抗扰度

  • 初级侧和高侧之间的低寄生电容:10pF

  • 开关频率高达 100kHz

  • +15V/-4V(精度为 3%)栅极驱动电压

  • 低电感栅极环路设计

  • 单电源:12V至18V

  • RS422 PWM输入接口

  • 开漏故障输出

  • 欠压锁定 (UVLO)

  • 可选的板载非重叠生成

  • 防重叠保护(在 PWM 输入上)

  • 电子脉冲干扰抑制(在 PWM 输入上)

  • 有源米勒钳位

  • 去饱和保护

  • 栅源短路保护

 

应用场景

  • 非常适合汽车和工业市场

  • 电机驱动:电动汽车、晶圆厂自动化

  • 电源逆变器、DC-DC 转换器、车载电池充电器 (OBC)

  • 电源转换:不间断电源、风力涡轮机

 

如果您的基于 SiC 的电源或电机驱动设计需要支持,请联系我们

我们可以提供栅极驱动板步骤文件 以虚拟集成到您的电源转换器设计中。

 

订购信息

产品名称型号
电压丝印
CMT-TIT0697CMT-TIT0697A1200VCMT-TIT0697A

 

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