规格参数
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设计用于驱动 XM3 1200V/300A SiC MOSFET 模块
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工作温度:-40°C 至 125°C
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母线电压:最大1200V
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14 毫米爬电距离/12 毫米间隙
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隔离:3600VAC @50Hz (1min)
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>50KV/µs dV/dt 抗扰度
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初级侧和高侧之间的低寄生电容:10pF
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开关频率高达 100kHz
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+15V/-4V(精度为 3%)栅极驱动电压
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低电感栅极环路设计
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单电源:12V至18V
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RS422 PWM输入接口
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开漏故障输出
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欠压锁定 (UVLO)
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可选的板载非重叠生成
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防重叠保护(在 PWM 输入上)
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电子脉冲干扰抑制(在 PWM 输入上)
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有源米勒钳位
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去饱和保护
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栅源短路保护
应用场景
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非常适合汽车和工业市场
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电机驱动:电动汽车、晶圆厂自动化
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电源逆变器、DC-DC 转换器、车载电池充电器 (OBC)
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电源转换:不间断电源、风力涡轮机
如果您的基于 SiC 的电源或电机驱动设计需要支持,请联系我们。
我们可以提供栅极驱动板步骤文件 以虚拟集成到您的电源转换器设计中。
订购信息
产品名称 | 型号 | 电压 | 丝印 |
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CMT-TIT0697 | CMT-TIT0697A | 1200V | CMT-TIT0697A |