EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细 CISSOID，高温半导体解决方案领导者，推出了其新产品OPAL，这是唯一一款保证在-55°C至+225°C温度范围内工作的高精度运算放大器。OPAL是一款双通道的运算放大器，专门设计用于在汽车、工业和通用高可靠性应用中满足传感器最严苛的环境限制，如航空、军事和石油、天然气等井下工具电子产品。其主要特性包括低输入失调（50µV典型值）、低噪声（5µV峰峰值典型值）以及单+5V ± 10% 电源等。
现在，第一个可用的OPAL产品，即保证在-55°C至+225°C的温度范围内工作的CHT-OPAL已经推出，采用薄型双扁平封装(TDFP)表面贴装、密封陶瓷封装，其占位面积仅为5×5.5毫米。而第二个OPAL产品口味——CMT-OPAL，将在未来几周内推出，其最高温度为+175°C，采用塑料SOIC16封装，为175°C的最高要求带来了成本优化的解决方案，同时充分利用了CISSOID一流的使用寿命和可靠性功能。对于那些必须最小化组件尺寸的应用，TSSOP16版本也可以根据要求提供。
CISSOID营销副总裁Jean-Christophe Doucet表示：“我们看到，在众多传感器应用中，如汽车和工业市场等，对高温信号调理解决方案的需求不断增加。我们的目标是简化传感器架构，特别是使用更简单、更低成本的电缆和线束，同时将复杂的信号处理保持在远程位置（即在传感器所在的“热”区域之外）。通过OPAL，CISSOID推出了一个可供选择的解决方案：将前端信号放大块放置在传感器本身内。到目前为止，现有的集成解决方案都不能完全满足需求，因为性能和寿命太有限。通过提升性能、降低成本，CISSOID现在为其客户开辟了广阔的新领域。”
OPAL的典型应用包括气体传感器（如汽车中的EGR阀）、锅炉、火焰检测器、温度、压力和位置传感器、应变计放大器、光电二极管和PMT放大器，以及变送器（如4-20mA等）。
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