EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细CISSOID 是高温半导体解决方案的领导者，推出了 CHT-NEPTUNE，这是一种采用 TO-257 封装的高压功率开关，适用于功率转换器和电机驱动器，可保证在高达 +225°C 的温度下可靠运行。
CHT-NEPTUNE 是一种高温、高压、碳化硅 MOSFET，专为高温和恶劣环境下的功率转换器应用而打造。它采用密封的 TO-257 金属封装——外壳与开关端子隔离——具有低结壳热阻 (1.1°C/W)。该产品保证在 -55°C 至 +225°C 的整个范围内可靠运行。它具有超过 1200V 的击穿电压，并且能够在最高温度 (Tj=225°C) 下切换高达 10A 的电流。该器件具有可用作续流二极管的体二极管。
该开关可通过 -2V / +20V 的典型栅极电压 (VGS) 进行控制。晶体管的 RDS-ON 在 25°C 时为 90mΩ，在 225°C 且 VGS=20V 时为 150mΩ。还可以提供支持和特征数据以在较低的 VGS 电压（例如 5V 或 10V）下驱动晶体管。这种新器件具有在 600V/10A 时低于 400µJ 的低温且与温度无关的开关能量。
CISSOID 营销副总裁 Jean-Christophe Doucet 表示：“CISSOID 的高温半导体解决方案工作可靠，没有任何隐藏功能。保证 1200V 功率器件在高达 225°C 的整个温度范围内具有我们通常的可靠性是一项重大挑战；我们很高兴将这款产品推向市场。我们认为现有的解决方案并不令人满意，我们看到了对 CHT-NEPTUNE 的巨大兴趣。”
CISSOID 已经提供了第一个用于 SiC 的隔离式栅极驱动器解决方案，额定温度为 225°C (HADES™)；有了这个补充，公司现在可以提供一个完整的交钥匙解决方案，结合了栅极驱动器和电源开关，为我们的客户节省了数月的昂贵和痛苦的研发。
CHT-NEPTUNE 可与 CISSOID 栅极驱动器 CHT-THEMIS & ATLAS 以及完全隔离的半桥栅极驱动器 EVK-HADES 一起使用。HADES+NEPTUNE 组合将为系统设计人员在设计电机驱动器或电源转换器时节省数月的研发时间。
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