SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细2 月 27 日，我们将举办一系列网络研讨会，简要介绍我们的模块化多功能 SIC 逆变器平台，重点介绍用例，展示所实现的效率以及噪音和振动的减少。
议程
SiC 智能功率模块和逆变器控制模块
模块化 SiC 逆变器平台 (+ 软件)
SiC 逆变器参考设计
案例研究：
#降低噪音和振动效果(死区时间补偿和优化脉冲模式)
#实现的效率
简短描述
从经过验证的解决方案开始您的 SiC 逆变器开发，提供高效、低噪音的驱动系统，快速上市，同时仍允许完全定制。
从功率半导体向上，利用我们广受好评的栅极驱动器并部署超快专用处理器，我们支持并提供完整的解决方案，直至电机控制软件。
探索我们的模块化台式和板载逆变器参考设计，了解可用的软件优化，例如死区时间补偿和优化脉冲模式，以及它们对系统效率和噪音及振动减少的显著好处。
模块化逆变器平台专为功能安全而设计，处理器和软件通过了 ISO 26262 认证，最高可达 ASIL-D，逆变器控制模块 (ICM) 已准备好满足 ASIL-C 要求，AQG-324 认证即将完成。
网络研讨会 2 - 涵盖的时间和时区 - 欧洲、中东和非洲 + 美洲
17:00-17:30 中欧时间 (UTC+1)
8-8:30am 太平洋标准时间 (UTC-8)
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