EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细CISSOID 的车载逆变器参考设计旨在缩短电动交通设计的上市时间。
Mike Sandyck, Marketing Director of CISSIOD
目前，市场上有许多类型的电动车。然而，其中大多数是由高产量制造商设计的。这些制造商拥有大量资源从零开始开发他们的新电动动力系统。由于他们为设计购买了大量最新产品，他们的供应商也非常愿意提供更多资源来协助设计。然而，电动交通市场中还有许多其他制造商，这些制造商的设计量较低，无法获取这些资源。
低产量的车辆制造商，如公共汽车、重型卡车、重型机械、运动型车辆，甚至汽车和飞机，也希望将他们的车辆电动化，但这些小型制造商有很少的电气工程师来进行新设计。由硅解决方案转向碳化硅（SiC）使得电力转换更加困难，因为它引入了更复杂的控制、更快的开关速度和更高的电磁干扰（EMI）。设计一个可行的SiC解决方案不仅需要电源工程师，还需要高度熟练的硬件和软件嵌入式系统设计工程师。大多数SiC器件制造商提供参考设计，以使他们的器件更易集成，但要将该参考设计转化为一个完全可用的量产设计并将其调优至最大效率和性能，仍需花费大量时间和精力。对于这些小型公司来说，快速上市至关重要，以最大化他们的利润。
CISSOID 发现市场上缺乏一个更完整的参考设计，于是该公司开发了一种解决方案，包含构建完整高性能电机牵引逆变器所需的所有组件，工作量极少。第一代参考设计取得了成功，公司利用今年在PCIM展会上推出了第二代设计。原始的台式逆变器参考设计主要用于实验室和台式电机测试。最新一代的 EVK-PLA1060 车载逆变器参考设计旨在提供一个更接近量产的解决方案。它可以立即集成到即将进行车内和现场测试的车辆中，进一步减少系统开发所需的时间。
CISSOID 的三相 1200V SiC MOSFET 智能功率模块
车载逆变器参考设计包括简化设计和评估电动交通逆变器所需的所有主要硬件和软件元素。SiC逆变器控制模块、3D打印液冷器和直流链路电容器、紧凑型EMC滤波器和电流传感器都包含在内。SiC逆变器控制模块本身由CISSOID的SiC功率模块、栅极驱动板、控制板和应用软件组成。该紧凑且轻量化的解决方案基于CISSOID的3相1200V SiC MOSFET智能功率模块，该模块高度集成且模块化，带有SiC优化的栅极驱动。它的导通电阻从2.53mΩ到4.2mΩ不等，最大连续电流从340A到550A。外壳设计为高可靠性，并提供针鳍散热器或平底板选择。
控制系统使用了Silicon Mobility 的OLEA T222 FPCU（现场可编程控制单元），其中包括专用的电机控制可编程硬件。专用处理器加速对关键事件的响应时间，减轻处理器内核的工作量，并增强功能安全性。围绕FPCU设计的控制板位于功率模块的顶部，而CISSOID的栅极驱动板在其下方。
CISSOID市场总监Mike Sandyck解释了可编程硬件的帮助作用：“该处理器专为电机控制设计。它包含一个先进的电机事件控制单元——可编程电路对系统如何响应特定电机事件进行指示。这种事件的硬件实时处理完全与主要的Arm-R5内核分开，使得内核能够比需要通过软件完成所有事情的处理器反应更快。这让我们能够在微秒级反应，而不是毫秒级，这对安全至关重要。”
T222处理器的可编程硬件实现了快速控制环路和高开关频率，并结合OLEA APP - T222 INVERTER控制软件，允许包括死区补偿和高级调制定在内的高级优化选项。该解决方案完全可配置，用于不同类型的电机。OLEA T222处理器和OLEA APP - T222 INVERTER软件均通过了ISO26262 ASIL-D和AUTOSAR 4.3认证，而CISSOID的ICM的ISO26262认证目前正在进行中。
EVK-PLA1060 板载逆变器参考设计
高功率密度、易于配置的EVK-PLA1060A系列车载逆变器参考设计已经开发完成，离量产又近了一步。这些参考设计针对车内和现场测试，具备B/C样品级的功能性，进一步加快了上市时间并减少了实现功能性电动传动系统所需的工程工作。
基于CISSOID的SiC逆变器控制模块（ICM），这些参考设计提供广泛的电压和功率范围，支持最高850V的工作总线电压和350kW的功率输出，达到出色的52kW/升功率密度（60秒峰值功率）。
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