EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细CISSOID 高温半导体解决方案的领导者，介绍了 VENUS，他们的新系列高温30V 的 P通道功率 MOSFET 晶体管保证操作在摄氐负55度到225度之间。P通道功率 MOSFETs 的VENUS系列命名为 CHT-PMOS3002，CHT-PMOS3004 及CHT-PMOS3008，其最大漏电流额定分别为2A，4A及8A。它们补充了该公司在2009年11月介绍的 N 通道 MOSFETs 的 SATURN 系列。
VENUS 功率 MOSFETs 表现出色的高温性能。在摄氏 225 度，CHT-PMOS3002 的栅极漏电流保持低于 50nA，而其漏极电流低至10μA，其开启延迟时间为30ns。此系列导通电阻和输入电容范围分别为从0.4Ω 至 1.7Ω 及从 150pF 至 450pF。
CISSOID 的 VENUS系列在恶劣环境下，从摄氏负 55 度到 225 度，使任何需要可靠功率控制的系统能得以设计，从电机驱动器，DC-DC 转换器和开关电源，到逆变器。此外，P通道晶体管使设计及高边开关的控制更容易，避免引导或电荷泵技术。有了 VENUS 产品，系统设计工程师可以节省成本，提高可靠性，改善重量，同时从其应用中禁止液体冷却，例如工业通程控制，汽车电池充电器和飞机执行器。
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