EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细比利时，蒙-圣吉贝尔– 2018年2月8日–高温与长寿命半导体解决方案领先供应商CISSOID今日宣布：该公司已准备好帮助客户免受Honeywell公司宣布限期最后接单后，即将停产其高温微电子产品所带来的影响，同时发布了一份CISSOID等效器件部品的型号互查表，所有的产品额定温度范围同样都为-55°C到225°C，同时还可以提供裸芯片（bare die）：
也可以通过开发高温专用集成电路（ASIC）或者专门的电路板的方式来实现器件的替代，这得益于CISSOID自有的强大硅知识产权（IP）及产品组合，其中包括电压参考源、调节器、放大器、比较器、计时器、脉宽调制（PWM）控制器、DC-DC转换器、栅极驱动器和碳化硅（SiC）功率模组。
“很高兴能够去支持Honeywell的客户采用CISSOID解决方案来实现其高温设计的迁移，从而消除了因最终订单后停产产品所导致的各种麻烦，”CISSOID首席执行官Dave Hutton表示：“客户还可以从中获得更多好处，包括我们的高可靠性元器件，以及我们过去几十年长期设计打造高温模组和系统所积累的丰富专业经验。”
CISSOID公司是高温半导体解决方案的领导者，专为极端温度与恶劣环境下的电源管理、功率转换与信号调节提供标准产品与定制解决方案。CISSOID产品性能可靠，可在-55～225℃甚至超出该温度范围的条件下工作，无论是在低温区的最低点还是高温区的最高点，其性能都不受影响。
无论是在环境温度较低但功耗使芯片升温的情况下还是在高温环境下，CISSOID产品都能在更加轻巧、紧凑且自然冷却的电子系统中运行，从而节约能源、成本并减轻重量。CISSOID产品适用于关键任务系统以及需要长期可靠性的应用。CISSOID为石油和天然气、航空、工业以及汽车市场提供领先产品。
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