EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
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CISSOID将在EV展上展示SiC智能功率模块和SiC逆变器参考设计
展位 8-D31。
CISSOID 很高兴在欧洲电池展上与您见面，这是欧洲最大的先进电池和电动汽车技术活动，将于 2023 年 5 月 23 日至 25 日在斯图加特举行。该公司将展示其模块化 SiC 逆变器参考设计， 利用其强大的功能SiC栅极驱动器技术及其紧凑型SiC智能功率模块平台。
CISSOID 将展示其新型模块化碳化硅 (SiC) 逆变器参考设计，支持高达 350kW/850V 的电动机驱动。该参考设计包括 CISSOID 的基于 SiC 的高压电源模块、集成栅极驱动器板、采用 Silicon Mobility 超快速且安全的 OLEA T222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流链路电容器和 EMI 滤波以及集成液体冷却。CISSOID 还将销售和提供 Silicon Mobility 的用于电动汽车动力系统控制的 OLEA® APP INVERTER 软件，为客户提供一个准备进行集成工作的开发平台。
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