‌比利时蒙圣吉贝尔/美国巴尔 - 2022 年 6 月 23 日。

        高温半导体和电源模块领域的领导者 CISSOID 与 NAC Group 和适用于高要求应用的高性能电容器领域的领导者 Advanced Conversion 合作，提供紧凑且最佳集成的三相 SiC 电源堆栈，结合了 CISSOID 的 1200V SiC 智能电源模块和 Advanced Conversion 的 6 组低 ESR/ESL 直流链路电容器。该电源堆栈可以进一步与控制器板和液体冷却器集成，为电机驱动器的高功率密度和高效率 SiC 逆变器（见图）的设计提供完整的硬件和软件平台。

        CISSOID智能功率模块(IPM) 平台集成了三相 1200V/340A-550A SiC MOSFET 功率模块和耐高温栅极驱动器，可实现低开关损耗和高功率密度。该平台可以通过控制板和算法进一步增强，为电机驱动器中的 SiC 逆变器提供实时处理、控制和功能安全。电源模块导通电阻范围为 2.53mOhms 至 4.19mOhms，具体取决于额定电流。600V/300A 时，总开关能量低至 7.48mJ (Eon) 和 7.39mJ (Eoff)。电源模块和栅极驱动器的协同设计可以通过仔细调整 dV/dt 和控制快速开关固有的电压过冲来优化 IPM，以获得最低的开关能量。嵌入式栅极驱动器解决了与快速开关 SiC 晶体管相关的多项挑战：负驱动和有源米勒钳位 (AMC) 可防止寄生导通；去饱和检测和软关断 (SSD) 对短路事件做出快速而安全的反应；栅极驱动器上的欠压锁定 (UVLO) 功能和直流总线电压可监控系统的正常运行。

        Advanced Conversion 的6件装 DC-Link 电容器通过低电感母线以机械方式安装到 CISSOID IPM。一组高达 500μF 的电容器值和高达 900V 的额定电压可用于快速评估。还提供基于先进的转换环形薄膜电容器的定制解决方案，该电容器非常适合“表面安装”到与开关模块连接的优化总线结构。这种专利方法与总线冷却相结合，提供了非常高的每微法安培额定值，以允许尽可能小的电容，同时最大限度地减少换向环路电感。使用正确的开关模块和适当的连接设计，可以轻松实现小于 5nH 的等效串联电感值。

        “直流母线是采用快速开关的大功率逆变器的关键组件，在设计的初始阶段经常被忽视。然而，高效快速开关宽带隙器件需要精心设计的直流母线总线拓扑结构以及紧密集成的电容器。”NAC 集团产品营销总监 James Charlton 说道，他与 Advanced Conversion 合作开发了一系列与 CISSOID 模块配合使用的套件。“借助电容器套件，客户可以立即找到与我们的快速开关三相 SiC IPM 完美匹配的高性能电容器，从而加速其逆变器设计，实现紧凑高效的电机驱动”，CISSOID 首席技术官 Pierre Delatte 说道。