EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细比利时蒙圣吉贝尔 / 法国索菲亚安提波利斯 – 2021 年 12 月 9 日。
高温半导体和电源模块领域的领导者 CISSOID 和 FPCU（现场可编程控制器单元）半导体架构的技术领先发明者 Silicon Mobility为新能源汽车提供超快速且极其安全的实时控制，宣布将 Silicon Mobility 的OLEA® FPCU 控制器与 CISSOID 的碳化硅 (SiC) 智能功率模块 (IPM) 平台集成。这个新的高度集成平台将加速用于电动汽车电机驱动的紧凑高效碳化硅逆变器的开发。
此次合作将提供 SiC 逆变器模块化平台，提供高度集成的硬件和优化的软件：具有保护和故障管理功能的电源模块及其栅极驱动器、超快 FPCU 控制器及其针对电机控制进行优化的应用软件。CISSOID 的 IPM 将三相 1200V/340A-550A SiC MOSFET 电源模块与耐高温栅极驱动器集成，可实现低开关损耗和高功率密度。Silicon Mobility OLEA® FPCU 控制器和 OLEA® APP INVERTER 软件可实现快速、高效的电机控制。
Silicon Mobility 超快 OLEA FPCU 是在电机驱动应用中控制我们的 SiC IPM 平台的完美技术。”CISSOID 首席技术官 Pierre Delatte 说道。“SiC 电源模块能够更快地切换并在更高的频率下运行，因此必须采用能够更快地运行实时算法的控制器技术。OLEA FPCU 低功耗也是构建高度紧凑且高效的牵引逆变器的关键优势”。
Silicon Mobility 营销和业务开发副总裁 David Fresneau 表示：“CISSOID SiC IPM 平台是一项出色的技术，有助于加速 SiC 功率转换器的开发。” “通过将 CISSOID 技术与我们的 OLEA® 控制解决方案相结合，我们提供了独特的硬件和软件平台，使我们能够在短短几个月内开发出高效且极其安全的 SiC 逆变器”。
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