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  • EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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  • 三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台
    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

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  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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配备用于电动汽车的液冷模块,满足航空航天领域自然冷却的需求

日期:2021-04-27 人气:763

比利时蒙圣吉贝尔 – 2021 年 4 月 27 日



       高温半导体和功率模块领域的领导者 CISSOID 通过推出用于电动汽车的新型液冷模块专为降低开关损耗或提高功率而定制。该公司还推出了一种基于轻质 AlSiC 平板基板的模块,可满足航空航天和专用工业应用中自然对流或强制冷却的需求。这些产品集成了三相 SiC MOSFET 模块和强大的栅极驱动器



        这些新型 IPM 利用了可以快速适应新电压、功率和冷却​​要求的技术平台。它们极大地加速了基于 SiC 的功率转换器的设计,实现了高效率和高功率密度。嵌入式栅极驱动器解决了与快速开关 SiC 晶体管相关的多项挑战:负驱动和有源米勒钳位 (AMC) 防止寄生导通;去饱和检测和软关断 (SSD) 对短路事件做出快速而安全的反应;栅极驱动器上的欠压锁定 (UVLO) 功能和直流总线电压可监控系统的正常运行。




SiC-Intelligent-Power-Modules-with-flat-and-pin-fin-baseplate.jpg



        两个基于针翅基板的新型液冷电源模块的额定阻断电压为 1200V,最大连续电流为 340A 至 550A。导通电阻范围为 2.53mOhms 至 4.19mOhms,具体取决于额定电流。600V/300A 时,总开关能量低至 7.48mJ (Eon) 和 7.39mJ (Eoff)。电源模块和栅极驱动器的协同设计可以通过仔细调整 dV/dt 和控制快速开关固有的电压过冲来优化 IPM,以获得最低的开关能量。反向偏置安全操作区域 (RBSOA) 允许峰值电流高达 600A,直流总线电压高达 880V,使电源模块对于 800V 电池应用来说非常安全。



        新型风冷模块专为无法选择液体冷却的应用而设计,例如航空航天机电执行器和电源转换器。该模块的额定阻断电压为 1200V,最大连续电流为 340A。导通电阻等于 3.25mOms。600V 和 300A 时,开通和关断开关能量分别为 8.42mJ 和 7.05mJ。电源模块通过 AlSiC 平坦基板进行冷却。该模块具有出色的耐热性,额定结温为 175°C,栅极驱动器的额定环境温度为 125°C。



        CISSOID 首席执行官 Dave Hutton 表示:“我们最初开发这个 IPM 平台是为了加速电动汽车的基于 SiC 的电机驱动器开发,我们也很高兴看到航空航天客户的需求。” “我们很高兴推出这款新型 SiC 智能功率模块,专为紧凑型轻型功率转换器中的自然对流或强制冷却而设计,可满足这些新的需求市场的需求。”



        新发布产品的部件号为CXT-PLA3SA12340AA(1200V/340A/针翅基板)、CXT-PLA3SA12550AA(1200V/550A/针翅基板)和CMT-PLA3SB12340AA(1200V/340A/扁平基板)。


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