EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细这种新的1200V/450A三通道功率模块包括水冷和栅极驱动器，可安全可靠地驱动SiC MOSFET所需的电气和热特性、安全工作区（SOA）和栅极驱动器特性。
越来越多的电动汽车制造商开始将SiC功率MOSFET晶体管引入牵引电动机的逆变器中。他们经常来使用分立晶体管和非常规封装，而市场上很少有3通道SiC功率模块，配有栅极驱动电路，专门用于驱动电力牵引电机。实现一个优化所有规格的完整逆变器可能是一个技术要求高且耗时的挑战。本文为这类应用提供了一种解决方案：一种智能功率模块（IPM），它集成了在快速开关碳化硅中实现的MOSFET晶体管，包括栅极驱动器和等液冷却板。该模块旨在为电动汽车中的牵引电机提供完整和优化的解决方案。
三通道SiC功率模块和水冷却此可扩展平台的第一个产品是CXT-PLA3SA12450（图1），这是一个带有SiC MOSFET的1200 V/450 a 三通道模块（300 a和600a版本将很快推出）。由于Rds（接通）仅为3.25 mΩ，该模块具有低导通损耗和低开关损耗的特点，在600 V/300 a时，接通和断开能量分别为7.8 mJ和8 mJ。比最新一代IGBT功率模块低至少3倍。模块可以通过带散热片的轻质AlSiC散热板冷却到水中，结和流体之间的热阻为0.15°C/W。该电源模块能够在175°C的结温下运行，并能承受3600 V（50 Hz，1分钟）的绝缘电压。
热稳定性和安全操作区（SOA）该模块已被开发为可靠地承受高热应力：SiC MOSFET的接头可以承受175°C的连续温度，而集成栅极驱动器能够在125°C下持续工作。这使得模块即使在高环境温度下也能以高功率密度运行。在这些条件下，SiC MOSFET周围的电路通常会达到非常高的温度（超过85°C），这是传统栅极驱动器无法支持的。因此，在125°C下运行的栅极驱动器，例如该模块所使用的栅极驱动器在性能和可靠性方面无疑具有优势。每个SiC MOSFET上的结和流体之间的热阻为0.15°C/W，流速为10升/分钟（50%乙二醇，50%水），入口温度为75°C。
图：CXT-PLA3SA12450：模数智能电势 a 3 canali1200 V/450 A MOSFET SiC
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