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  • EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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  • 三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台
    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

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  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
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CISSOID 与华中科技大学 (HUST) 电气与电子工程学院合作开发基于 SiC 的电动汽车电机驱动。‌实现SiC器件与高速电机与电控系统的全面优化匹配,追求最佳效率、功率密度和可靠性,满足工业和新能源汽车应用的更高要求 CISSOID与华中科技大学电气与电子工程学院达成深度战略合作协议,共同研发相关前沿技术。

日期:2020-03-30 人气:704

比利时蒙圣吉贝尔和中国武汉 – 2020 年 3 月 30 日。



         面向最苛刻市场的高温半导体领导者 CISSOID 宣布与华中科技大学 (HUST) 电气与电子工程学院 (SEEE) 达成深度战略合作伙伴协议。双方将共同研发针对碳化硅(SiC)电力电子应用全面优化匹配的电机及电气控制系统,充分发挥SiC器件高频、高压、高温、高效等性能优势高功率密度,更好地满足工业和新能源汽车应用的广泛需求。



       为了消除这些制约因素使SiC功率器件充分发挥其高频、高压、高温、高效率、高功率密度等优异性能优势,需要将SiC功率模块与电机进行全面匹配和电气控制系统,以优化整个动力驱动系统。 CISSOID与华中科技大学SEEE的强强联合,将发挥双方的优势和能力,共同研发前沿技术。此次合作的重点包括:为了消除这些制约因素,使SiC功率器件充分发挥其高频、高压、高温、高效率、高功率密度等优异性能优势,有必要将SiC功率模块与电机、电控系统进行全面匹配,优化整个动力驱动系统。 CISSOID与华中科技大学SEEE的强强联合,将发挥双方的优势和能力,共同研发前沿技术。此次合作的重点包括:



  • 研发适合SiC器件高开关频率的小型高速电机及相应齿轮箱;
  • 研发符合SiC器件特性的小型耐高温封装功率模块,在模块内部芯片布局设计中力求降低模块本身的寄生电感;
  • 采用CISSOID耐高温栅极驱动IC设计SiC功率驱动方案,并合理布局,尽量缩短SiC驱动器与功率模块的安装距离,尽量减少驱动电路的寄生电感;
  • 从整个系统的规划出发,采用更小的母线电容和冷却系统,实现智能功率模块、控制器、母线电容和冷却系统的高度集成,实现系统的小型化,同时显着提高转换效率和散热系统。动力组件的能量密度



       “无论是在研究中,还是在实际行业应用中,人们都在追求电机与电气的完美融合。在工业和新能源汽车技术快速发展的今天,电机与电气的规模化应用将引领和推动这一趋势。”追求到极致。”华中科技大学电气与电子工程学院副教授孔武斌说。 “目前,基于高可靠SiC器件的应用,在配套电机的电气设计上有了很大的提升;但业界原有的、基于硅器件的栅极驱动器可靠性相对较弱,这已经成为实现高可靠SiC器件的瓶颈。 CISSOID的高温半导体芯片和封装技术,以及在石油、航空、航天等高端应用领域积累的高可靠系统设计经验,将极大地帮助我们实现电机与电机的完美集成设计。电气化,满足未来工业和新能源汽车领域的更高要求。”



       “我们很高兴与华中科技大学电气与电子工程学院合作,学校是国内一流的研究院所,拥有完善的科研创新平台,承担了多项国家重大科研项目,持续推动双方共同致力于电机与电气技术的发展及其在工业、汽车、航空航天等领域的广泛应用,此次研发合作将开发全匹配、优化的SiC电力电子电机与电气控制系统。”CISSOID首席执行官Dave Hutton先生表示:“我们致力于为工业应用,特别是新能源汽车应用提供更多优秀的产品。 “CISSOID始终高度关注与中国半导体产业的融合,我们已经吸收了来自中国的投资,并在芯片制造、封装和测试领域与中国企业展开了广泛的合作。此次与中国一流研究机构的合作中国进一步确认了CISSOID广泛融入中国半导体产业生态系统的战略。”



       中国汽车工业协会公布的数据显示,继2018年取得佳绩后,2019年我国新能源汽车产销量双双突破120万辆,分别达到124.2万辆和120.6万辆。新能源汽车的发展不断保持在较高水平,使得SiC功率器件得到越来越多的关注和使用。然而,由于功率半导体的平均Tj(结温)一直在上升,当SiC功率器件大量使用时,耐高温驱动器的良好配合变得极为重要。此次CISSOID与华中科技大学SEEE的合作,旨在采用业界领先的耐高温驱动器,为SiC功率器件提供支持,实现电机与电控系统的完美匹配和全面优化,获得最佳的效率和功率。密度。未来,两家合作伙伴将共同推出高可靠解决方案,包括高品质、优化的SiC智能功率模块(IPM)以及最佳匹配性能的电机和电气控制系统参考设计,助力加速工业和应用领域、中国新能源汽车领域的发展。



关于华中科技大学电气与电子工程学院(SEEE)



       华中科技大学电气与电子工程学院前身为成立于1952年的华中工学院电力系,1988年更名为华中科技大学电力工程系, 2001年再次更名为华中科技大学电气工程学院。在教育部历次一级学科评估中,学校电气工程学科排名始终位居全国前三名。 2017年,该学科入选国家首批“双一流”建设学科。



       学校学科门类齐全。学校电气工程学科是首批国家一级重点学科。拥有教育部确定的全部5个学科方向,其中电机与电器、电力系统及其自动化、电工理论与新技术为国家二级重点学科;电力电子与电力驱动、电磁理论与新技术(包括高电压、绝缘)是国防特色学科。学校主要研究方向涵盖电能的生产、传输、应用、变换、检测、控制、调度和管理全过程。同时,学校借鉴国际一流电学学科方向,通过学科交叉融合,发展了电能存储、脉冲功率、脉冲高磁场、磁约束聚变、等离子体等一批新的前沿学科。医学、加速器及应用、先进电工材料与器件等,形成了我国研究领域广泛的电工学科。



CISSOID 是面向最苛刻市场的高温半导体领域的领导者。



       我们专注于汽车市场,提供高效电源转换和紧凑型电机驱动解决方案:用于 SiC 和 GaN 晶体管的高压栅极驱动器、具有低电感和增强热性能的电源模块,以及额定温度超过 175°C 的汽车级组件AEC-Q100 0 级资格标准。



       对于航空、工业及石油和天然气市场,我们提供适用于恶劣环境信号调节、电机控制、定时和电源的解决方案,可在 -55°C 至 +225°C 范围内可靠运行。


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