EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细比利时蒙圣吉贝尔 – 2020 年 3 月 5 日。
CISSOID 是面向最苛刻市场的高温半导体领域的领导者，今天宣布推出用于电动汽车的新型三相 SiC MOSFET 智能功率模块 (IPM) 平台。这种新的 IPM 技术提供了一体化解决方案，包括带有内置栅极驱动器的三相水冷 SiC MOSFET 模块。
这一新的可扩展平台共同优化了电源模块及其接近控制的电气、机械和热设计，将为愿意快速采用基于 SiC 的逆变器以提高效率和可靠性的电动汽车原始设备制造商和电动机制造商缩短上市时间。紧凑型电机驱动器。借助这款基于 SiC 的 IPM 解决方案，CISSOID 始终专注于应对汽车和工业市场的挑战。
该可扩展平台的首款产品是三相 1200V/450A SiC MOSFET IPM，具有低导通损耗（导通电阻为 3.25mOhms）和低开关损耗（开启能量分别为 8.3mJ 和 11.2mJ 关断能量） 600V/300A。与最先进的 IGBT 功率模块相比，它可将损耗至少降低三倍。新模块通过轻质 AlSiC 针翅基板进行水冷，结点至流体的热阻为 0.15°C/W。该电源模块的额定结温高达 175°C。 IPM 可承受高达 3600V 的隔离电压（50Hz，1 分钟）。
内置栅极驱动器包括三个板载隔离电源（每相一个），每相提供高达 5W 的功率，可在高达 125°C 的环境温度下轻松驱动高达 25KHz 的电源模块。高达 10A 的峰值栅极电流和抗高 dV/dt (>50KV/μs) 能力可实现电源模块的快速开关和低开关损耗。欠压锁定（UVLO）、有源米勒钳位（AMC）、去饱和检测和软关断（SSD）等保护功能可确保电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠运行。
“开发和优化快速开关 SiC 电源模块并可靠地驱动它们仍然是一项挑战”，CISSOID 首席执行官 Dave Hutton 表示。 “这款新型 SiC 智能功率模块是我们在极端温度和电压环境下开发功率模块和栅极驱动器方面多年经验的成果，我们很高兴向早期 SiC 采用者提供我们的第一个 IPM 样品，并支持汽车行业正在向高效的电动汽车解决方案转型。”
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