EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细比利时蒙圣吉贝尔 – 2020 年 1 月 14 日。
CISSOID 是面向最苛刻市场的高温半导体领域的领导者，为 Wolfspeed 的 XM3 SiC MOSFET 功率模块提供强大的栅极驱动器。针对高功率密度转换器，新型栅极驱动器板可安全驱动快速开关 SiC 电源模块，以实现低损耗，并可在空间受限的电机驱动器、紧凑型电源或快速电池充电器内的高温环境下运行。
CMT-TIT0697 栅极驱动器板设计为直接安装在 CAB450M12XM3 1200V/450A SiC MOSFET 功率模块上。凭借板载隔离电源，每个通道可提供高达 2.5W 的功率，且不会降额高达 125°C (Ta)，栅极驱动器可驱动 XM3 模块高达 100KHz，从而实现高功率密度。高达 10A 的峰值栅极电流和抗高 dV/dt (>50KV/μs) 能力使得能够以零栅极电阻驱动电源模块，从而实现最小开关损耗。该板可承受高达 3600V（50Hz，1 分钟）的隔离电压，并提供 14mm 的爬电距离。欠压锁定（UVLO）、有源米勒钳位（AMC）、去饱和检测和软关断（SSD）等保护功能确保电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。
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