EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细比利时圣吉贝尔山和中国株洲 - 2019 年 11 月 15 日。
面向最苛刻市场的高温半导体领导者 CISSOID 今天宣布与湖南芯星半导体科技有限公司签署战略合作伙伴协议(简称“Coresing”)。在中国株洲举行的第五届中国IGBT技术创新与产业联盟国际学术论坛上。双方将携手研发宽禁带功率技术,充分发挥其耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势,推动其在多个领域的广泛应用。
近年来,宽禁带半导体功率器件(如SiC、GaN)以其多元化的性能优势在航空航天、电力传输、新能源汽车、智能家电、通信等领域逐渐取代传统硅器件。然而,在各种应用中,宽禁带电源模块需要驱动器在耐高温、可靠性和保护机制方面的全力支持,才能充分发挥其优势。 CISSOID 总部位于比利时,是高温半导体解决方案领域的领先公司。它拥有一系列驱动器组合,已在航空航天、石油和汽车等要求严苛的领域得到验证,并已使用了 10 多年。这些驱动器具有耐高温、高可靠性和高鲁棒性的特点,可以帮助宽禁带半导体功率模块在各种系统应用中充分发挥其性能优势。
芯星科技是一家高新技术企业,由中车时代电气、长安汽车、南方电网、格力电器、中环半导体等八家企业共同投资组建。集研发、测试和技术服务为一体,主要研发先进IGBT、新型IGCT、MOSFET、功率器件射频以及SiC、GaN等宽禁带功率半导体材料、器件和技术。芯星科技与中国IGBT技术创新与产业联盟合作成立功率半导体创新中心,旨在开展功率半导体领域共性技术研发、产品开发、技术成果转移和扩散、技术孵化和商业应用等工作。半导体行业。并提供设计、测试等技术服务,开展人才培养和国际交流合作。目前,创新中心已正式获批为湖南省制造业创新中心,并正着手升级为国家级制造业创新中心,打造中国功率半导体产业生态圈。
“作为先进功率半导体技术的代表,宽禁带半导体器件具有非凡的性能优势,已在多个领域得到应用。尤其是目前全球新能源汽车的快速增长,推动了宽禁带功率器件市场的不断扩大。作为一家密切关注宽禁带半导体发展的公司,芯星在宽禁带半导体材料、技术和器件的研发上投入了大量的精力,并建有功率半导体创新中心。” ,取芯总经理。 “我很高兴与 CISSOID 签署战略合作伙伴协议。 CISSOID多年沿用的高温驱动器和高温封装技术,可以帮助宽禁带功率模块在系统层面实现耐高温和高能量密度,大幅提高电控系统的可靠性。我们将与CISSOID合作,研发宽禁带功率技术、模块和系统应用,加速中国宽禁带半导体的发展。”
“中车时代电气、长安汽车、南方电网、格力电器、中环半导体都是中国顶尖企业,他们共同创立Coresing的目标之一就是推动宽禁带半导体向前发展。CISSOID对此次合作充满期待“与Coresing的合作可以将宽带隙功率模块的效率和性能提升到一个新的水平。我们将利用我们久经考验的、业界领先的高温驱动芯片和高温封装设计团队来全力支持这项研发合作。”戴夫·赫顿 (Dave Hutton),CISSOID 首席执行官。 “CISSOID长期以来高度关注中国市场,高度关注与中国半导体产业的融合发展。目前,我们已经吸收了来自中国的投资,并与中国企业在芯片领域展开了广泛的合作。此次CISSOID与中国顶尖企业联合研发宽带隙半导体功率器件,进一步印证了我们广泛融入中国半导体产业生态的战略和加快中国宽带隙半导体发展的决心。”
随着新能源汽车等新兴领域的快速发展,宽禁带半导体功率器件越来越受到关注并逐渐普及。同时,据Yole Development称,功率半导体的平均Tj(结温)一直在上升,几年内将达到并超过175℃。因此,耐高温驱动器的良好配合对于宽禁带功率器件非常重要。 CISSOID与Coresing的合作将充分发挥各自优势,产生强大的协同效应。双方将利用业界领先的高温驱动器件来支持宽禁带功率器件,为市场带来高品质的宽禁带功率模块和解决方案,助力新能源汽车、智能电网、智能家电等领域的发展。实现更快的发展。
关于 Cissoid
CISSOID 是面向最苛刻市场的高温半导体领域的领导者。我们专注于汽车市场,提供高效电源转换和紧凑型电机驱动解决方案:用于 SiC 和 GaN 晶体管的高压栅极驱动器、具有低电感和增强热性能的电源模块,以及额定温度超过 175°C 的汽车级组件AEC-Q100 0 级资格标准。
对于航空、工业及石油和天然气市场,我们提供适用于恶劣环境信号调节、电机控制、定时和电源的解决方案,可在 -55℃ 至 +225℃ 范围内可靠运行。
关于Coresing
湖南芯星半导体科技有限公司位于中国株洲天心高新技术产业园区。芯星科技股份有限公司(简称“芯星科技”)成立于2018年10月,注册资本5亿元人民币。公司由中车时代电气、长安汽车、南方电网、格力电器、中环半导体等八家企业投资组建,是一家集研发、检测、技术服务于一体的高新技术企业。 Coresing主要研发先进的IGBT、超级结MOSFET、功率器件射频以及SiC、GaN等宽禁带功率半导体,并提供先进的功率半导体技术、器件和解决方案。
为响应“中国制造2025”战略布局,落实国家《制造业创新中心建设项目实施指南(2016-2020年)》,芯星科技以研发供给、转移扩散、首发商业化为目标重点领域关键共性技术研究,与中国IGBT技术创新与产业联盟合作共建功率半导体创新中心,满足新能源汽车、智能电网、智能家电等领域的应用需求。通过创新中心,公司将携手产业链上中下游骨干企业,推动功率半导体核心技术整体升级,引导知识产权交流交易,打造创新平台涵盖从功率半导体材料、器件研发制造到器件应用的全产业链。
关于中国IGBT技术创新与产业联盟(IGBT Alliance)
中国IGBT技术创新与产业联盟在工业和信息化部指导下筹建,于2014年10月19日正式成立。统筹产业优势资源,搭建产业链上下游互动合作平台,推动IGBT产品应用,做大做强IGBT产业。目前,IGBT联盟拥有近50家成员。
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