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    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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CISSOID与中科院电工研究所建立战略合作伙伴关系,共同开发SiC功率器件广泛应用解决方案

日期:2019-06-10 人气:781

‌比利时蒙圣吉贝尔和中国北京 - 2019 年 6 月 10 日。



        面向最苛刻市场的高温半导体领导者 CISSOID 宣布与中国科学院电工研究所 (IEE/CAS) 建立战略合作伙伴关系。双方将共同开发基于碳化硅(SiC)功率模块的系统,攻克技术难题,发挥SiC功率器件耐高温、耐高压、高能量密度、高效率等优势。此次合作有望推动SiC功率器件在新能源汽车领域的广泛应用。



        近年来,SiC功率器件凭借多元化的性能优势,在部分领域逐渐取代传统硅器件。与此同时,新能源汽车在全球范围内快速增长。带动了SiC器件市场的不断扩大。目前,包括特斯拉、丰田在内的全球顶级整车厂已开始在新能源汽车领域早期采用SiC功率器件。然,在汽车应用中,SiC器件需要驱动器对耐高温的全力支持以及异常苛刻的保护机制才能充分发挥其优势。 CISSOID 总部位于比利时,是高温半导体解决方案领域的领先公司。其组件和驱动器产品组合已在航空航天、石油、汽车等高端领域得到验证。这些产品具有耐高温、高可靠性、高坚固性等特点,已使用10多年。它们使SiC功率模块在系统中充分释放其性能,帮助新能源汽车提高动力运行水平和行驶里程。



        IEE/CAS是面向电科学与工程发展的国家级研究机构。定位于电能高新技术开发和电学前沿研究,在我国能源电力领域占有独特地位。中科院电气所拥有20多年电动汽车研究历史,承担并完成了数十项国家和地区电动汽车重大科研任务,在基础理论研究和关键技术开发方面处于国内领先地位我国高功率密度车载电机驱动系统的研究进展相关产品和技术已成功应用于2008年北京奥运会、2010年上海世博会等示范工程,在国际同行中具有较高的声誉和广泛的影响力。近年来,IEE/CAS在宽禁带半导体领域率先开展研究,成功开发了直冷SiC混合功率模块、新型间接冷却薄膜电容器以及全SiC和高功率密度电机驱动控制器原型机,取得了显著成果。自主知识产权。这些产品的功率密度、效率等关键指标达到国际领先水平。通过此次合作,CISSOID与IEE/CAS将结合各自优势产生强大协同效应,共同开发基于SiC功率模块的高质量系统,助力中国新能源汽车实现更快更好的发展。



        2018年我国新能源汽车产销量大幅增长,双双突破125万辆。这将有力推动中国SiC功率器件市场的发展。多年来,中科院院所大力投入新能源利用的研发,其中新能源汽车是重要组成部分。与CISSOID合作开发基于SiC功率模块的系统是我们推动中国新能源汽车发展的关键一步。”中国科学院工业工程研究所温旭辉研究员表示。 “新能源汽车对高效、小尺寸、耐高温的碳化硅器件及其驱动器有着强烈的需求。 CISSOID多年沿用的高温驱动器和高温封装技术可以帮助SiC器件在系统层面实现耐高温和高能量密度,并大幅提高电控系统的整体可靠性。”



        IEE/CAS是中国顶尖的研究机构。他们对新能源汽车的研究符合我们的想法。我非常期待双方的研究能够将SiC功率模块的效率和能量密度推向新的水平。 CISSOID将利用其久经考验、业界领先的高温驱动芯片和高温封装设计团队,全力支持本次研发合作,解决SiC器件应用中的技术难题,实现SiC器件的广泛深入应用。新能源汽车SiC功率模块。” CISSOID 首席执行官 Dave Hutton 先生说道。 “CISSOID高度关注中国新能源汽车的发展以及与中国半导体产业的融合发展。我们已经吸收了中国的投资,并与中国企业在芯片制造、封装测试等领域开展了广泛的合作。此次与中国顶尖研究机构的联合开发进一步印证了CISSOID广泛融入中国半导体产业生态系统的战略。”



        Yole Development表示,过去几十年来,由于市场需求、技术进步、设计改进等因素的驱动,功率半导体的平均Tj(结温)一直在上升。从1980年的100℃一直上升到2018年的150℃。这一现象一方面表明功率器件的质量和可靠性越来越好,另一方面也体现了整个行业的不断追求高功率密度。据Yole预测,几年内功率半导体对Tj的要求将达到并超过175℃。这与第三代半导体功率器件(SiC和GaN)的普及以及高功率密度设计的市场需求直接相关。新能源汽车也是如此。采用SiC器件可以提供高频、低内阻等优势,充分提高能效,但需要高温电阻驱动器的良好配合。此次CISSOID与IEE/CAS的强强联合,将利用业界领先的耐高温驱动器,充分发挥SiC功率器件的优势,有力助推新能源汽车的发展。



关于Cissoid 

       CISSOID 是面向最苛刻市场的高温半导体领域的领导者。

       我们专注于汽车市场,提供高效电源转换和紧凑型电机驱动解决方案:用于 SiC 和 GaN 晶体管的高压栅极驱动器、具有低电感和增强热性能的电源模块,以及额定温度超过 175°C 的汽车级组件AEC-Q100 0 级资格标准。

       对于航空、工业及石油和天然气市场,我们提供适用于恶劣环境信号调节、电机控制、定时和电源的解决方案,可在 -55℃ 至 +225℃ 范围内可靠运行。


关于中国科学院电工研究

        中国科学院电工研究所于1958年筹建,1963年在北京成立。是一家以电气科学与工程发展为导向的国家级研究机构。中科院自成立以来,五十多年来一直承担着国家能源电工领域的战略性高技术发展和电学前沿研究任务。截至目前,已取得科研成果近500项,获得国家、中科院等部委奖励100余项。 10年来,中科院持续加强新能源、智能电网、电力节能等领域高新技术研发布局,不断增强电学与其他科学的前沿交叉研究例如材料、信息、生物和纳米技术。中科院已成为我国新能源利用、智能电网、电机与电力电子、电力传动、应用超导技术和电学前沿交叉研究领域的核心和骨干研究机构,具有较高的声誉和广泛的影响力在国际同行中。


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