EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细比利时蒙圣吉贝尔 – 2019 年 5 月 2 日。
CISSOID 是为最苛刻市场提供高温半导体的领导者，将在全球领先的展览和会议 PCIM 2019 上展示新型高温栅极驱动器、SiC MOSFET 和 IGBT 功率模块适用于电力电子、智能运动、可再生能源和能源管理。
该公司推出一款新型栅极驱动器板，针对额定温度为 125°C (Ta) 的 62mm 碳化硅 (SiC) MOSFET 功率模块进行了优化。该板基于 CISSOID HADES 栅极驱动器芯片组，还可以驱动 IGBT 功率模块，同时为汽车和工业应用中的高密度功率转换器的设计提供热裕度。它可实现高频 (>100KHz) 和快速 SiC MOSFET 开关 (dV/dt>50KV/μs)，从而提高效率并减小电源转换器的尺寸和重量。该板专为恶劣电压环境而设计，支持驱动 1200V 和 1700V 电源模块，隔离电压高达 3600V（50Hz，1 分钟），爬电距离为 14mm。欠压锁定（UVLO）、有源米勒钳位（AMC）和去饱和检测等保护功能可确保电源模块在发生故障时的安全驱动和可靠保护。 “这款新型 SiC 栅极驱动器板是我们与汽车、运输和航空航天市场行业领导者多年合作开发的成果。它结合了 CISSOID 在 SiC 器件方面的专业知识和我们在设计适用于恶劣环境的芯片和电子系统方面的长期经验。” CISSOID 工程副总裁 Etienne Vanzieleghem 说道。
在纽伦堡，CISSOID 还将展示新型 SiC MOSFET 和 IGBT 功率模块。新型分立式 1200V/40mOhms SiC MOSFET 晶体管采用 TO-247 封装，可在 -55°C 至 175°C 的温度范围内进行全面表征。该 MOSFET 的漏极至源极导通电阻在 25°C (Tj) 时为 40mOhms，在 175°C (Tj) 时为 75mOhms。低开关开启和关闭能量（分别为 1mJ 和 0.4mJ）使该器件成为高效、紧凑型 DC-DC 转换器、电源逆变器和电池充电器的理想选择。该公司还将展示两款 62mm 1200V IGBT 功率模块，额定电流为 200A 和 300A。
CISSOID 还致力于开发 SiC MOSFET 功率模块，该模块将在未来几个月内推出。 Dave Hutton 表示：“这些新产品体现了 CISSOID 致力于提供全面的基于 SiC 的解决方案，包括晶体管、模块和栅极驱动器，以支持行业向高效、轻量和紧凑的电力转换转型，以用于新型电动汽车和可再生能源。” ，CISSOID首席执行官。 “我们正在与汽车 OEM 和一级供应商密切合作，为新型 SiC 功率逆变器定制栅极驱动器。”他补充道。
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