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    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

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    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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CISSOID 与 DDC 合作打造更紧凑、更可靠的 SiC IPM

日期:2016-10-13 人气:918

比利时圣吉伯特山——2016年10月13日。



        高温和长寿命半导体解决方案的领导者CISSOID,宣布与数据设备公司(DDC)合作。而DDC是设计和制造航空航天、国防和工业应用的高可靠性数据总线、运动控制和固态功率控制器产品的世界领军者,以及其子公司贝塔变压器技术公司(BTTC),同样是高性能军事、商业和太空级磁性部件的领导者,致力于开发更紧凑可靠的碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM),用于航空航天功率转换器和电机控制。



        在这项合作中,BTTC将开发高可靠性和高温变压器模块,嵌入电源和脉冲变压器,并针对CISSOID HADES2®隔离栅极驱动器进行优化。该解决方案将用于CISSOID开发的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),使其更加紧凑可靠。它将解决为高功率密度应用开发的SiC IPM(见图),以及目前正在开发的用于恶劣环境(如无压力位置和/或极端温度)的密封封装中的IPM。



IPM-and-TRFO-module.jpg



        第一批变压器模块正在开发、验证和鉴定温度范围为-55°C至+225°C。磁芯和其他变压器材料经过精心选择,在该范围内提供稳定的性能和可靠的运行。变压器将提供超过2500Vdc的隔离,并针对非常低的寄生电容进行优化,以支持高dV/dt,通常高达50KV/µs,与快速开关SiC晶体管常见。这些变压器经过优化,可与HADES2®隔离栅极驱动器芯片组配合使用:功率变压器用于Flyback DC-DC转换器内部,提供低侧和高侧隔离栅极驱动器,而脉冲变压器传输PWM和故障信号。



        “通过DDC和BTTC,我们找到了合适的合作伙伴,为我们的SiC IPM和栅极驱动器开发高可靠性和高温变压器解决方案。他们为CISSOID带来了他们在为数据收发器和功率转换器开发信号和功率变压器方面的长期经验,以及他们的高质量制造设施h合作伙伴为其客户提供一个完整的高温系统解决方案开发生态系统。”,CISSOID首席执行官Dave Hutton表示。DDC电力系统副总裁Frank Bloomfield表示:“我们相信,与CISSOID的首次合作之后还会有合作的机会,因为我们看到DDC和CISSOID之间的各种合作机会,例如为航空航天、国防和工业应用开发高温电机驱动或功率转换器解决方案”。

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