‌比利时圣吉伯特山——2016年4月14日。

        CISSOID是高温和长寿命半导体解决方案的领导者，宣布向泰雷兹航空电子电气系统公司交付第一批三相1200V/100A SiC MOSFET智能功率模块（IPM）原型。该模块是在Clean Sky联合事业的支持下开发的，将通过减少重量和尺寸，帮助提高More Electrical Aircraft中发电和机电执行器的功率转换器密度。

        这种IPM提供了栅极驱动器与功率晶体管的最佳集成，以充分利用碳化硅（SiC）的优点，即低开关损耗和高工作温度。利用HADES2®隔离栅极驱动器，结合了多年来在驱动SiC晶体管方面的发展，以及先进的封装技术，使功率模块能够在极端条件下可靠运行。

        对于该航空航天模块，选择了三相功率逆变器拓扑，同时正在研究HEV和铁路项目的其他拓扑。在该三相拓扑中，6个开关位置中的每一个都包括100A SiC MOSFET晶体管和100A SiC肖特基续流二极管。这些器件可以阻挡高达1200V的电压，这为540V航空航天直流总线中的过电压提供了足够的净空，并且该模块被设计为可以使用1700V/150A SiC器件轻松升级。晶体管的典型导通电阻为12.5m欧姆或8.5m欧姆，具体取决于其额定电流（100A或150A）。

        在模块的设计过程中，特别注意了热方面。首先，为了降低冷却要求，所有材料都经过选择，可以在高达200°C的结温下可靠运行，峰值在225°C。这种材料选择还可以实现高达150°C的外壳和储存温度。最后，该模块基于高性能材料，如AlSiC基板、AlN基板和银烧结，以提供与SiC器件近乎完美的CTE匹配以及对热循环和功率循环的高鲁棒性。

        在单个IPM中与功率模块共同设计栅极驱动器允许CISSOID在考虑功率模块的寄生电感的情况下优化栅极驱动器电路，同时尽可能将其最小化。最小化寄生电感允许更快地切换SiC晶体管并降低切换损耗。IPM还为功率电子设计师提供了即插即用的解决方案，他们在栅极驱动器板的设计中节省了大量时间，这对SiC晶体管来说尤其具有挑战性。之后，他们就可以专注于利用SiC的高密度功率转换器的设计。

        “很高兴能在Clean Sky计划的框架内与 CISSOID 团队合作。他们在向我们提出解决方案方面表现出了极大的灵活性，足以满足多电动飞机的下一代高密度电源转换器的要求。”泰雷兹航空电子设备公司电源转换器设计团队经理陶菲克·本萨拉赫 (Taoufik Bensalah) 说道。 CISSOID 工程副总裁 Etienne Vanzieleghem 补充道：“我们非常高兴与泰雷兹进行富有成效的合作，并就指定此 IPM 进行了公开讨论。我们还感谢 Clean Sky 使此次合作成为可能，这是 CISSOID 结合封装和电路设计专业知识的一个很好的例子。该平台是CISSOID封装团队的东道主，也是加强我们与Tarbes PRIMES平台合作的机会。”