other
新闻中心
热门产品
  • EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

    查看详细
  • 三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台
    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

    查看详细
  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

    CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

    查看详细
  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

    查看详细
  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

    查看详细

CISSOID 扩展了其高温 SIC功率模块的产品范围

日期:2015-12-10 人气:609

比利时圣吉伯特山-20151210日。



        CISSOID是高温半导体解决方案的领导者,它扩展了其用于功率转换和电机驱动应用的高温碳化硅(SiC)功率模块系列:CHT-PLUTO SiC MOSFET模块和CHT-EUROPA SiC肖特基二极管模块的额定工作温度在-55°C至+225°C之间。



PLUTO-PR (1).jpg



        如今,推出了7种具有不同额定电流和拓扑结构的新型电源模块,在性能和成本之间实现了最佳权衡:



产品名称产品描述

CHT-PLUTO-A1230

1200V/30A双SiC MOSFET模块,带续流肖特基二极管

CHT-PLUTO-A1220

1200V/20A双SiC MOSFET模块,带续流肖特基二极管(新)

CHT-PLUTO-B1230

1200V/30A双SiC MOSFET模块(新)

CHT-PLUTO-B1220

1200V/20A双SiC MOSFET模块(新)

CHT-PLUTO-C1230

1200V/30A降压或升压模块:1个SiC MOSFET+1个SiC肖特基二极管(新)

CHT-PLUTO-C1220

1200V/20A降压或升压模块:1个SiC MOSFET+1个SiC肖特基二极管(新)

CHT-EUROPA-A1230

1200V/30A双SiC肖特基二极管模块(新)

CHT-EUROPA-A1220

1200V/20A双SiC肖特基二极管模块(新)



        CHT-PLUTO和CHT-EUROPA电源模块采用密封的8引脚专有“HM8A”金属封装,尺寸为18mm x 29mm(不包括安装片)。这些器件与封装的外壳电气隔离得益于CISSOID在高温半导体制造、封装、测试和鉴定方面的长期经验。


        根据转换器(DC-DC/AC-DC/DC-AC、隔离/非隔离、升压/降压),用户可以选择不同的拓扑:双 SiC MOSFET,带或不带嵌入式续流 SiC肖特基二极管;具有独立 SiC MOSFET 和 SiC 肖特基二极管的降压或升压配置;或双 SiC 肖特基二极管。 CHT-PLUTO 和 CHT-EUROPA 模块允许设计人员并行使用单个模块的 2 个器件来处理 20A 至 60A 的额定电流。选择正确的额定电流可以在传导损耗和开关损耗之间实现最佳权衡,并为应用维持适当的成本。


CHT-PLUTO-A1230_A1220 functional diagramCHT-PLUTO-C1230_C1220 functional diagramCHT-EUROPA-A1230_A1220 functional diagram
Dual MOSFETBuck or BoostDual Diode


        CHT-PLUTO SiC MOSFET 模块的导通电阻和热阻直接随额定电流变化,分别在 VGS=20V 时从 90mOhms 降至 23mOhms,以及从 1.2°C/W 降至 0.35°C/W。这样可以根据电源转换器的总损耗和温度任务曲线来选择最佳模块额定值。 SiC MOSFET 的高工作结温(高达 225°C)和低开关能量(20A 时低于 600μJ)提供了进一步的设计空间。所有模块的额定击穿电压在 225°C 时均超过 1200V。


        CHT-PLUTO MOSFET 模块具有两个额外的源连接器,可轻松、可靠地连接到栅极驱动器,并由 CISSOID 新型高温栅极驱动器 HADES®v2 进行理想控制,具有高峰值电流能力和高 dV/dT 稳健性,非常快的开关和低开关损耗。 


        CISSOID 首席执行官 Dave Hutton 表示:“CHT-PLUTO 系列的扩展表明了我们对为功率转换和电机驱动应用提供高温半导体解决方案的持续承诺。这为 SiC MOSFET 智能功率模块 (IPM) 铺平了道路,包括功率器件和栅极驱动器 CISSOID也 正在开发。这些 IPM 的开关电流超过 150A,满足工业、航空航天、交通运输和 EV/HEV 市场对高功率密度和高可靠性的需求。”

Cissoid授权代理商:深圳市邦晶科技有限公司 版权所有 © 2008-2024 Inc. 粤ICP备2023088585号 网站地图 

IPv6 network supported