SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细比利时圣吉伯特山-2015年3月24日。
CISSOID 是高温和长寿命半导体解决方案的领导者，推出了第二代高度集成的隔离式栅极驱动器 HADES®。 HADES® 面向基于快速开关碳化硅 (SiC) 晶体管、传统功率 MOSFET 和 IGBT 的高密度功率转换器、电机驱动器和执行器。凭借 着CISSOID 产品无与伦比的稳健性，栅极驱动器 HADES® v2 在恶劣环境下能够提供高可靠性和更长的使用寿命，从而满足系统设计人员对航空、汽车、工业以及石油和天然气市场的期望。
HADES®可用于高达225°C的极端温度应用的密封封装，也可用于延长使用寿命且温度不超过175°C的系统的塑料封装。
HADES® v2 栅极驱动器具备驱动隔离式高压半桥中电源开关栅极的所有功能。整个解决方案的高集成度和紧凑性充分发挥了快速开关碳化硅功率晶体管的优势。 该芯片组使用了三个集成电路：初级侧的 HADES2P、次级侧的 HADES2S 以及最近推出的四二极管 ELARA。主芯片和副芯片均采用陶瓷 QFP 32 引脚或塑料 QFP 44 引脚。初级侧 IC (HADES2P) 嵌入了一个电流模式反激式控制器，该控制器具有集成的 0.8Ohm - 80V 开关、可配置的非重叠和欠压锁定 (UVLO) 故障管理。并且还配备了一个四通道隔离信号收发器（2 个 Tx 和 2 个 Rx），用于通过微型脉冲变压器向次级侧或从次级侧返回 PWM 和故障信号。两个二次侧IC（HADES2S），一个用于高侧，另一个为低侧，其中包括12A驱动器、UVLO、去饱和和过温保护（OTP）故障检测电路，以及一个双通道隔离信号收发器。还提供评估套件 (EVK-HADES2)，该套件演示了基于 HADES v2 栅极驱动器和两个 CISSOID 的 NEPTUNE（一个 10A/1200V SiC Mosfet）构建的半桥。还有一个带有半桥的演示板和完整的文档。该板尺寸仅为 60mm x 55mm (2.4” x 2.2”)。 HADES® v2 可以驱动更高功率和其他类型的开关，包括 IGBT 和传统 MOSFET。预计在不久的将来 GaN 晶体管也会广受支持。
HADES® v2 的热鲁棒性使设计人员可以自由地将栅极驱动器放置在功率晶体管旁边，以此最大限度地减少寄生电感，从而实现快速开关和低开关损耗。开关损耗的降低意味着拥有更高的工作频率，同时电容器和磁性元件的尺寸和重量也显著减小。此外，高工作温度降低了冷却要求，从而也降低了系统的尺寸和重量。HADES® v2 芯片组经过优化，最大限度地减少了有源和无源组件的数量和尺寸，使其能够集成到智能电源模块 (IPM) 中，其中栅极驱动器位于电源开关旁边。 HADES® 集成到 IPM 中将进一步提高转换器功率密度，并实现高温下的可靠运行。让其能够在 100~175°C 应用中实现极长的使用寿命（数十年），或是在极端温度应用下实现数千小时的使用寿命 175℃～225℃）。
CISSOID 首席执行官 Tony Denayer 解释道：“HADES® v2 是与各个行业的系统制造商和最终用户合作 3 年的成果，他们实施了工业应用的电机驱动器、铁路辅助转换器、用于航空航天的发电机或用于 HEV/EV 车辆的电池充电器等各种功率转换器。同时收集了这些使用 HADES第一版的专家的反馈：HADES 是于 2011 年发布的第一个专用于碳化硅 (SiC) 快速开关功率器件的隔离式栅极驱动器解决方案。
HADES® v2 高度集成，带来了过去 15 年所证明的 CISSOID 解决方案的稳健性以及系统设计人员在性能、功能、可靠性和成本方面的要求。不仅适用于恶劣环境应用，而且适用于较大体积、成本敏感的应用，这些应用的环境温度甚至可能不超过 100°C，但使用寿命和维护成本是关键的差异化因素。
总之，HADES®v2是通往真正高密度功率转换器世界的大门。我们的许多客户都迫不及待地等待着它。能将这项独特的突破性技术推向市场让我们很自豪。”
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