EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细比利时圣吉伯特山-2015年3月4日。
高温半导体解决方案的领导者 CISSOID 发布了高温 80V 四元二极管 CHT-ELARA。这种新器件包括四个独立且介电隔离的二极管，可以通过不同的配置连接：串联、并联或连接在整流桥中以获得更高电流。每个二极管可承受 80V 的反向电压，225°C 时的最大正向电流为 900mA，适合在 -55°C 至 +225°C 的温度范围内工作。
单片集成提供了二极管之间更好的匹配和热跟踪，而电介质隔离提供了设计灵活性。
CHT-ELARA 采用小型密封 5x5.5mm TDFP16 陶瓷封装，具有散热片，可实现低至 11°C/W 的结至外壳热阻。高集成度和增强的热特性使 CHT-ELARA 成为电源整流的最佳解决方案，例如：用于反激式或正激式 DC-DC 转换器和栅极驱动器。
CHT-ELARA 二极管在 25V 反向电压下具有 15pF 的低结电容，使其非常适合交流信号整流，例如在使用单芯片轻松实现的全桥整流器中。这些二极管在 225°C 时的正向电压为 0.33V，正向电流为 1mA。它们在 80V 反向电压和 225°C 下的漏电流限制为 2μA，这让ELARA 非常适合高温电压倍增器（电荷泵）。 ELARA 在 225°C 时正向电流为 450mA，正向电压为 1.5V，还可用于电压钳位应用。
CISSOID首席技术官Pierre Delatte评论道：“CHT-ELARA是一种非常灵活的产品，可以在整个温度范围（-55°C至+225°C）内用作全桥整流器、单个二极管、箝位装置或任何其他配置（如公共阴极、公共阳极）。它提供了航空、石油和天然气以及工业应用所需的坚固性和延长的使用寿命。”
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