EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细比利时圣吉贝尔山 – 2013 年9 月 23日。
CISSOID 作为高温和延长寿命半导体解决方案的领导者，推出了 CHT-CG50LP，这是一款多功能时钟发生器，适用于为工业市场构建时钟模块和基于频率的传感器，以及石油和天然气领域的高可靠性应用、航空航天和国防市场。该电路使用外部晶体，旨在在整个 -55°C / +225°C 温度范围内提供可靠的精度和性能，电源电压介于 3.0V 和 5.0V 之间，频率高达 50MHz。它的稳健性保证振荡器将始终启动，无论条件如何。该电路还支持 32kHz 晶振以满足实时时钟生成需求。
本产品是CISSOID的第二代时钟发生器。它结合了上一代器件 CG50 无与伦比的稳健性，同时带来了更多功能、更低的电流消耗和更少的引脚数。CHT-CG50LP IC 具有一个内置分频器（可选择 1 至 512）、一个启用/禁用控制信号和一个外部时钟输入。输出驱动器能力和晶体驱动器强度是可编程的 (8/16mA)。
CISSOID 工程副总裁 Etienne Vanzieleghem 解释说：“我们的客户强烈要求提供减少引脚数的解决方案和默认配置，考虑到时钟模块实现的缩小，引线键合连接很少”。CHT-CG50LP 的最小配置只有八个连接引脚，完全符合此类要求。“此外，该电路的设计电流消耗减少了 40%”，Vanzieleghem 先生说。
第二代时钟发生器证实了 CISSOID 对石油和天然气、工业、航空航天和汽车应用的高可靠性市场的承诺。CG50LP 为工业应用提供了一个稳健且具有成本效益的解决方案，在这些应用中不一定需要高温，但几十年的使用寿命是必须的，而传统半导体无法通过其他方式实现这一点。
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