EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细比利时圣吉贝尔山 – 2013 年7 月 8日。
CISSOID 是高温半导体解决方案的领导者，推出适用于 -55°C 至 +225°C 工作温度的多功能 DC-DC 转换器的完整参考设计和评估套件。
FUJI 是围绕 CISSOID 的高温 PWM 控制器 IC CHT-MAGMA 设计的。它实现了具有三重输出的非隔离式不连续控制模式 (DCM) 反激拓扑。它通常用作负载点，从单个电源总线在本地生成三个标准电压，范围从 +12V 到 +28V。评估套件的输出电压为+5V；+3.3V 和 +1.8V。可以修改参考设计以适应不同的电压需求。
默认开关频率设置为 100kHz，最高可修改为 500kHz。反激式调节回路设置在 +5V 输出上。根据负载条件和应用的调节要求，该设计可以支持 2 个额外的内置线性稳压器，产生 2 个最低电压。
FUJI 以评估套件的形式提供，其中包括一个紧凑的演示板、带有电气原理图和材料清单的完整应用说明。它允许立即评估并集成到任何具有高温要求的定制电子设计或 MCM 混合项目中。可以定制电气和机械性能（例如效率、无源元件的选择和尺寸、电流输出能力……）以满足定制要求；应用说明为大多数定制需求提供了必要的信息。
该演示板旨在满足最严格的空间限制：它宽 1 英寸，长 3 英寸，高不到半英寸，包括所有必要的无源和有源元件。所有组件的额定温度均为 -55°C 至 +225°C。变压器是一种由标准高温磁芯制成的定制环形模型。
CISSOID 正与 IPDIA 合作，提供一种优化的解决方案，其中采用 IPDIA 的适用于 250°C 运行的高温硅电容器，这些电容器提供了改进的温度、电压和高可靠性，远远超过标准电容器技术。
Cissoid授权代理商:深圳市邦晶科技有限公司 版权所有 © 2008-2024 Inc. 粤ICP备2023088585号 网站地图
IPv6 network supported 
