EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细比利时圣吉贝尔山 – 2013 年6 月 12日。
在推出 5V 输入/500mA 稳压器 CHT-VEGA 仅一年后，高温半导体解决方案的领导者 CISSOID 就通过 CHT-RIGEL 扩展了其 STAR 产品系列，CHT-RIGEL 是一种用于应用中嵌入式电源的新型可调稳压器必须承受高温、恶劣环境或仅需要延长使用寿命的设备。RIGEL 接受 4.5V 至 30V 的宽输入电压范围，并生成可在 1.8V 至 28V 之间设置的稳压输出。它具有 100mA 电流能力，适用于模拟电路或小型微控制器或 FPGA 需要稳定和准确电源电压的大量应用。它具有芯片使能输入，可将电路置于待机模式，典型功耗仅为几µA。
该器件采用微型 SMD 陶瓷封装 TDFP 5x5.5mm，保证在 -55°C 至 +225°C 的温度范围内工作。
CISSOID 首席技术官 Pierre Delatte 强调说：“CHT-RIGEL 是当今市场上唯一一款集电压精度、高可靠性、极小尺寸和出色瞬态响应于一身的线性稳压器。该稳压器可在 -55°C 至 225°C 的整个温度范围内在任何线路或负载条件下保证 ±5% 的精度。特别注意平滑启动、出色的稳定性和对线路或负载瞬态的快速响应，即使使用小型外部电容器也是如此，这对于恶劣环境至关重要，因为高温电容器的尺寸和成本。最后但并非最不重要的一点是，CHT-RIGEL 几乎坚不可摧，这要归功于热关断及其电流限制的结合。”
大量应用将从该稳压器中受益，远远超出传统的“高可靠性应用”：即使在中等环境温度下，自加热也会迅速使结温达到传统稳压器的极限。此外，寿命会显着缩短。CISSOID 的 CHT-RIGEL 能够可靠地承受如此恶劣的环境。
因此，CHT-RIGEL 非常适合混合模块、工业电子系统和汽车应用。
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