EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细比利时圣吉贝尔山 – 2013 年 5 月 28日。
CISSOID 是高温半导体解决方案的领导者，通过推出 CHT-AMALTHEA 扩展了其 PLANET 分立器件产品系列，CHT-AMALTHEA 是一种采用密封金属罐 TO-257 封装的中等功率、通用双二极管。这种新设备保证在 -55°C 至 +225°C 的温度范围内工作。CHT-AMALTHEA 包括两个二极管，并提供三种可能的配置：共阳极、共阴极和双串联配置。
每个二极管都具有 80V 的反向电压、3A DC 的最大正向电流和 225°C 时的 4A 峰值电流，使其适用于多种电源应用。金属 TO257 封装与引脚隔离，便于系统的机械组装。这种双二极管是一种通用分立元件，可用于各种中等功率应用，包括整流、续流、钳位和传感等。
CHT-AMALTHEA 二极管在 20V 和 80V 反向电压下的结电容分别为 36pF 和 56pF。使用两个 AMALTHEA 可以轻松实现整流桥。每个二极管的正向电压为 1.53V（典型值）。在 225°C（和 2A 正向电流）下，在 80V 反向电压和 225°C 时呈现 15µA 的极低漏电流。
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