EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细CISSOID是高温半导体解决方案中的领先者，推出其独特的VESUVIO技术，实现了降压（步降）DC-DC转换器可靠运行，以及高效率运行在-55°C~+225°C温度。VESUVIO技术采用CISSOID的两芯片组MAGMA-HYPERION和功率晶体管，包括参考设计和演示电路板。
UVIO可将6~30V的输入电压降到1.2V的可调输出电压，输入效率高达90%。VESUVIO降压转换器在200°C以上，显示的效率超过90%。器件作为同步DC-DC转换器配置，恒定频率下工作在连续电流模式（CCM），使纹波过滤更容易符合传感器应用要求。VESUVIO采用有软启动能力的MAGMA PWM控制器，从而实现平滑启动。输入电压前向补偿使其具有非常强大的输入电压瞬态变化，提供了一个优于±1.5mV/V的DC线路电压调节。该演示电路板调整到5V输出，在225°C提供高达10W功率。该电路板额定温度为175°C，但在测试短时间内可到更高温度，非常适合具有热飘带的测试应用。
除了该案例，VESUVIO技术可用于构建DC-DC降压转换器，输出电压高达27V，功率高达50W。该参考设计和材料清单可用到高温基底和高稳定模块的组装。
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