高温SOI器件已经获得了完全的商业化生产和供应。以CISSOID公司为例，其从事高温SOI器件的设计和制造，已有20多年历史；目前已能提供10多个种类100多个型号的高温SOI器件，包括二极管、MOSFETs、电压参考器、电压调节器、PWM控制器、栅极驱动器、模数转换器、比较器、运算放大器、逻辑器件、时钟发生器和计时器等等。根据封装形式的不同，分为两大系列：CMT系列为高温塑胶材质封装，最高结温为175℃；而CHT系列则为金属陶瓷封装，最高结温为225℃。综合平衡管芯和封装的设计和现有产业化工艺条件，目前CISSOID所提供的高温SOI器件的高温工作寿命可达约15年（最高结温175℃），或约5.5年（最高结温225℃），又或约2.5年（最高结温250℃），以及约1.3年（最高结温280℃）；其规律是，近乎于温度每升高25℃，器件寿命将约减少一半；在300℃以上时，其SOI器件也还有几千小时的工作寿命。

　　 另一方面，近年新兴的宽禁带化合物半导体（SiC、GaN等），天生具有卓越的高温性能，其工作温度已被实验证明可达500℃甚至更高，而以SiC器件的高温性能最为杰出。近期，SiC的商业化进展程度也表现尤为突出，由电动汽车应用的大量需求所推动，SiC器件已经开始了大规模量产和全面普及，必然在电力电子应用的各个领域逐步替代传统的体硅IGBT功率器件。

　　 SiC功率器件高温应用的高温封装技术也在加速演进。为了配合这一发展的整体趋势，CISSOID 公司利用其高温SOI的技术优势，开发了专为降低开关损耗并提高功率密度、风冷型三相全桥碳化硅SiC MOSFET智能功率模块(IPM)技术平台系列（图3）。针对航空航天领域的风冷应用，部分IPM采用了平面基板，可以方便地结合到散热器或框架结构上。该IPM技术平台可迅速调配以适应不同的电压、功率档级，极大地加速了基于SiC的功率转换器的设计，实现更高效率和更高功率密度。

　　带有平面底板的SiC智能功率模块

　　 智能功率模块(IPM)意味着功率模块和栅极驱动器的集成。功率模块和栅极驱动器的协同设计能够通过仔细调节dv/dt和控制快速开关固有的电压过冲来优化IPM，以实现最低开关能量损耗。CISSOID的栅极驱动器是基于高温SOI半导体技术开发的，具有独特的耐高温稳定性，可与耗散数百瓦的功率组件紧密集成。这样，有助于减少栅极环路寄生电感，实现快速开关和降低开关损耗，并避免寄生导通的风险。CISSOID的栅级驱动器配有负驱动和有源米勒钳位（AMC）、去饱和检测（DeSAT）、软关断（SSD）等防护保护机制，还有欠压锁定（UVLO）、DC总线电压监视系统及模块内部的温度监控等。通过提供匹配的整合的方案，CISSOID的IPM平台使客户能够大大加快他们的系统设计。

　　 CISSOID 的高温SOI半导体芯片技术，是高功率风冷IPM模块成为可能的前提 (型号：CMT-PLA3SB340AA和CMT-PLA3SB340CA)；这些型号是专为无法使用液体冷却，例如航空机电执行器和功率转换器的高温应用而设计的。这些型号的额定阻断电压为1200V，最大连续电流为340A；导通电阻仅有3.25mΩ和2.67mΩ，标称开关损耗则仅为8.42mJ和7.05mJ （在600 V/300A条件下）。该功率模块的额定结温为175℃，栅极驱动器的额定环境温度为125℃，通过AlSiC扁平底板冷却，热阻较低、耐热性强。另外，依据应用条件和场景的需求，通过更换更高温度等级的被动元器件和主要芯片及模块的封装，CISSOID的IPM还可以进一步提升运行温度等级。此外，CISSOID也正在开发单相和两相的IPM模块，以便于灵活地组合成不同的电力拓扑结构来针对各种不同的应用。