EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅（SiC）逆变器参考设计（支持高达 350KW/850V 的电机驱动），该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波，以及集成的液体冷却装置，SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中，帮助客户快速搭建完备开发平台，简化设计过程，并缩短上市时间。
查看详细CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
查看详细CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块，集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却，可满足高功率密度转换器的要求，提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比，该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势，通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护（Desat、UVLO、AMC）方面经过充分验证和优化的解决方案，SSD）。
查看详细CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块，该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细作者：CISSOID 首席技术官，Pierre Delatte
越来越多的领先电动汽车制造商正在将碳化硅（SiC MOSFET）功率场效应管用于牵引逆变器，其中有些还采用了非传统的分立器件封装。但是，目前很难找到针对电动机驱动而优化的 SiC 功率模块来适配不同的应用。更进一步，将快速开关的 SiC 功率模块与栅极驱动器、去耦及水冷等整合为驱动总成，还要面对一些新的挑战。因此，经过完全优化和高度集成的智能功率模块解决方案，可以为客户节省大量的开发时间和工程资源。
本文介绍了一种用于电动汽车电机驱动、或电力逆变器的新型 三 相 1200V SiC MOSFET 智 能 功 率 模 块（IPM）。 该 IPM提供了一种多合一的解决方案，含有栅极驱动器和三相全桥 SiCMOSFET 功率电路，可用于水冷功率系统。本文简要介绍了该功率模块的关键电气和热特性，讨论了其安全操作区域；最后，说明了栅极驱动器的关键特性 , 及其安全可靠的驱动 SiC MOSFET 的综合能力。图 1：CXT-PLA3SA12450AA 三相全桥 1200V/450A SiCMOSFET 智能功率模块三相全桥水冷 SiC MOSFET 智能功率模块CXT-PLA3SA12450AA是一个可扩展平台系列的首个产品，该三相 1200V/450A SiC MOSFET IPM 具有导通损耗低（Ron为 3.25mΩ）、开关损耗低（7.8mJ 开启和 8mJ 关断）等特点（在600V/300A 时，参见表 1）。相对于最新的 IGBT 电源模块，其损耗至少降低了三分之二。新模块通过轻巧的 AlSiC 针翅底板进行水冷，结至流体的热阻为 0.15℃ /W。该智能功率模块的额定结温高达 175℃，可以承受高达 3600V（50Hz，1min）的隔离电压。
表 1：CXT-PLA3SA12450AA 的主要特性
该智能功率模块是为高热环境的稳定性应用而设计的，额定的最高结温为175℃。栅极驱动器本身具备在最高环境工作温度为125℃的情况下、长时间工作的增强的耐热能力。如前所述，该智能功率模块通过轻巧的AlSiC 针翅底板冷却，每相的结至流体热阻为0.15℃ /W，当流速为10L/Min（推荐的冷却液为50％乙二醇，50％水），允许的流体最高流入端温度可达75℃。最大连续漏极电流（Id）与CXT-PLA3SA12450AA 的外壳温度之间的关系（根据最大Tj 时的导通电阻，热阻和最大工作结温计算）如图2 所示。最大连续漏极电流（Id）被视为比较功率模块的额定功率的标准参数，而品质因数（FoM，Figure of Merit）则揭示了RMS 相电流与开关频率的关系，如图3 所示；该曲线是针对600V 的DC总线电压、90℃的外壳温度、175℃的结温和50％占空比计算的。该FoM 曲线对于了解模块的适用性更为有用。CISSOID 的智能功率模块平台具有系列可扩展性，例如，从图3 还可推断（虚线）出未来的1200V/600A 模块的安全工作范围。
图 2：最大连续漏极电流降额（Id）与CXT-PLA3SA12450AA的外壳温度之间的关系.
图3：FoM 曲线， 1200V/450A SiC 功率模图3：FoM 曲线， 1200V/450A SiC 功率模块（CXTPLA3SA12450AA）的相电流（Arms）与开关频率（条件：VDC= 600V，Tc = 90℃，Tj <175℃，D = 50％），和预测未来的1200V/600A 模块（CXT-PLA3SA12600AA，正在开发中）相比较
Cissoid授权代理商:深圳市邦晶科技有限公司 版权所有 © 2008-2024 Inc. 粤ICP备2023088585号 网站地图
IPv6 network supported 
