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  • EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    EVK-PLA1199A 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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  • 三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台
    三相1200V/340A-550A 高度集成的 SiC 逆变器平台

    SiC 逆变器平台可以提供完整的模块化碳化硅(SiC)逆变器参考设计(支持高达 350KW/850V 的电机驱动),该参考设计包括 CISSOID 基于 SiC的高压功率模块、集成的栅极驱动器、采用 Silicon Mobility 超快速、安全的 OLEAT222 FPCU 的控制板、直流和相电流传感器、直流母线电容器和 EMI 滤波,以及集成的液体冷却装置,SiC 逆变器平台可以帮助客户将逆变器以最快的方式整合到电机驱动系统中,帮助客户快速搭建完备开发平台,简化设计过程,并缩短上市时间。

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  • CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A   SiC 逆变开发套件模块
    CXT-ICM3SA12550AAA 三相全桥1200V/550A SiC 逆变开发套件模块

    CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。

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  • CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块
    CMT-PLA3SB12340AA 三相全桥1200V/340A SiC MOSFET 智能功率模块

    CMT-PLA3SB12340A 是一款基于 CISSOID HADES2 芯片组的三相1200V/340A 碳化硅 (SiC) MOSFET 智能功率模块,集成了功率开关和栅极驱动器。 该模块通过轻质 AlSiC 扁平基板进行冷却,可满足高功率密度转换器的要求,提供专为在高达 175°C 的高结温下运行而设计的 SiC 功率模块。与 IGBT 模块相比,该解决方案可以充分发挥 SiC 技术的优势,通过低开关损耗和高温运行实现高效率、高功率密度和高可靠性。 栅极驱动器与电源模块的集成可以直接访问在开关速度和损耗、针对 dI/dt 和 dV/dt 的稳健性以及功率级保护(Desat、UVLO、AMC)方面经过充分验证和优化的解决方案,SSD)。

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  • CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A   SiC 逆变开发套件模块
    CMT-ICM3SB12340AAA 三相全桥1200V/340A SiC 逆变开发套件模块

    CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起

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  • 电动飞行的新高度:800V SiC逆变器的航空应用
    2023-12-02 电动飞行的新高度:800V SiC逆变器的航空应用
    CISSOID的SiC逆变器技术平台专为适应航空航天等特殊恶劣环境下对电压、功率和冷却的严苛要求而设计。这一平台提供的模块以其卓越的安全运行区域(RBSOA)而脱颖而出,允许直流总线电压高达880V,并且可以承受峰值电流高达600A,保证800V电池系统的应用在各种极端条件下绝对安全可靠。
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  • 建筑设备电气化:SiC逆变器在重型机械中的应用
    2023-12-01 建筑设备电气化:SiC逆变器在重型机械中的应用
    随着工程技术的不断进步和环保法规的日益严格, 建筑行业正在经历一场革命——重型机械的电气化。从起重机到挖掘机,再到特殊作业车辆等等, 这些工程巨人们在转向混合动力或全电动化的过程中,稳定性和强大的功率转换成为其基本的技术需求。解决这些挑战的关键,除了先进的电源管理理念,更在于拥有卓越性能的电力转换设备支持。
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  • 革新城市交通:电动巴士和卡车的SiC逆变器驱动方案
    2023-12-01 革新城市交通:电动巴士和卡车的SiC逆变器驱动方案
    Cissoid公司作为高温半导体解决方案的领先供应商,在高压门驱动技术领域拥有深入研究和丰富经验。该公司的产品专为城市交通电动化设计,涵盖了SiC和GaN开关器件所需的高压门驱动,提供低电感且热性能优化的功率模块,以及超越汽车工业最严格的AEC-Q100 0级质量标准,能在高达175°C的工作温度下稳定运作的汽车级元器件。
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  • 800V SiC逆变器:驾驭下一代电动汽车性能
    2023-12-01 800V SiC逆变器:驾驭下一代电动汽车性能
    800V SiC逆变器的引入是对电动汽车性能的一次巨大飞跃。它不仅推动了电动汽车技术的向前发展,还加速了传统汽车产业向电动化的转型。随着更多的创新技术的涌现和应用,电动汽车的未来将更加光明,而我们很快就能见证这一属于绿色交通的美好时代到来。
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  • CISSOID推出适用于航空应用的SiC智能功率模块
    2021-04-27 CISSOID推出适用于航空应用的SiC智能功率模块
    CISSOID 日前宣布推出了一种基于轻质AlSiC平板基板(Flat Baseplate)的三相碳化硅(SiC)MOSFET智能功率模块(IPM),以满足航空和其他特殊工业应用中针对自然空气对流或背板冷却的需求。此项高温芯片和模块技术平台亦将大力推动电动汽车动力总成系统(电机、电控及变速箱)的深度整合,以使其体积、重量及相应成本大幅降低,并实现最佳能源效率。
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  • 三维模型和可信赖的散热特性使快速地实现功率转换器设计成为可能
    2023-07-01 三维模型和可信赖的散热特性使快速地实现功率转换器设计成为可能
    CXT-PLA3SA12450AA的一大优势,即门级驱动和功率部分(含有AlSiC针翅水冷底板)高度集成。该特点使得IPM与电驱总成的其他部分,如直流电容、冷却系统可以快速结合,如图2所示。CISSOID提供了各个部件的精确的3D参考设计,客户的系统设计人员由此作为起点,可在极短的时间内实现目标系统设计。IPM充分利用了SiC功率器件的低导通和低开关损耗特性,并与门级驱动进行了系统级的
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  • SiC助力功率半导体器件的应用结温升高,将大大改变电力系统的设计格局
    2023-07-01 SiC助力功率半导体器件的应用结温升高,将大大改变电力系统的设计格局
    着第三代宽禁带半导体器件(如SiC)出现以及日趋成熟和全面商业化普及,其独特的耐高温性能正在加速推动结温从目前的150℃迈向175℃,未来将进军200℃。借助于SiC的独特高温特性和低开关损耗优势,这一结温不断提升的趋势将大大改变电力系统的设计格局。
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  • 高温SOI技术的发展现状和前景
    2023-06-27 高温SOI技术的发展现状和前景
    高温电子的商业应用需求最初来自石油、天然气勘探和开采领域,钻探的环境温度随着井深的增加而不断升高,当井深超过7000 m时,井下温度可超过200℃。在航天领域,由于自身发热和外部因素,航天器的电子器件可能暴露于高温环境中,而航天项目的高成本和高风险使其特别地追求高温、高可靠的电子器件。航空应用要求很高的安全性、可靠性及可维护性,耐高温电子器件
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  • CISSOID在电动汽车领域的应用:MOSFET智能功率模块(IPM)平台
    2023-06-27 CISSOID在电动汽车领域的应用:MOSFET智能功率模块(IPM)平台
    MOSFET智能功率模块,高温高压碳化硅功率模块,碳化硅功率模块,1200V/450A碳化硅,三相1200V/450A碳化硅MOSFET智能功率模块
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  • CISSOID新能源汽车领域的先进技术:加速缩短碳化硅功率转换器开发流程
    2023-06-27 CISSOID新能源汽车领域的先进技术:加速缩短碳化硅功率转换器开发流程
    CISSOID的SiC IPM平台是一项有助于加速碳化硅功率转换器开发过程的先进技术。
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  • Cissoid DC-DC转换器平台用于电子汽车领域
    2023-06-27 Cissoid DC-DC转换器平台用于电子汽车领域
    ‌CISSOID是高温半导体解决方案中的领先者,推出其独特的VESUVIO技术,实现了降压(步降)DC-DC转换器可靠运行,以及高效率运行在-55°C~+225°C温度。
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  • 多电飞机的电机驱动和电源变换器
    2023-06-27 多电飞机的电机驱动和电源变换器
    传统飞机的舵面、翼面等姿态操控,都是由液压和气压驱动的机械装置完成的;此外,在发动机转向喷口及发动机反推动作控制,以及舱门、起落架、刹车及地面转向驾驶等处,也还大量地使用了液压或气压部件。液压和气压装置的弱点在于其密封,由于采用流体或气体传递压力,因而传递效率较低,故障率高,且不适合远距离传动;仅以液压为例,液压系统对油温变化较为
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  • 分布式执行控制系统和配电方式
    2023-06-27 分布式执行控制系统和配电方式
    ‌目前先进飞机的设计越来越多地趋于采用分布式设计。分布式系统可以就地收集发动机状态,及飞机体内和蒙皮的各种传感器信号,通过数字化等处理后,经由统一的数据总线传送给主机。就地处理意味着传感器和执行器更为接近前端现场,而那些位置通常无法配备冷却系统。因此,分布式系统更需要耐高温的传感控制驱动单元,这往往需要耐温200℃以上的电子元器件,及
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  • CISSOID的SiC MOSFET IPM
    2023-06-27 CISSOID的SiC MOSFET IPM
    近年新兴的宽禁带化合物半导体(SiC、GaN等),天生具有卓越的高温性能,其工作温度已被实验证明可达500℃甚至更高,而以SiC器件的高温性能最为杰出。近期,SiC的商业化进展程度也表现尤为突出,由电动汽车应用的大量需求所推动,SiC器件已经开始了大规模量产和全面普及,必然在电力电子应用的各个领域逐步替代传统的体硅IGBT功率器件。
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  • 高温电子技术的现状与发展
    2023-06-27 高温电子技术的现状与发展
    随着业界高温封装产业能力的提升
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  • 高温器件在航空领域的应用和机会
    2023-06-27 高温器件在航空领域的应用和机会
    飞机系统因自身高温环境(如发动机周边)传统上需要高温器件支持之外,近年来飞机系统的分布式控制设计趋势,和执行系统由液压和气压传动向电机传动转变的趋势,都在推动着对高温电子技术的新的需求。
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  • 航空应用对高温电子技术的需求
    2023-06-27 航空应用对高温电子技术的需求
    面对飞机上的热源和高温环境
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  • 碳化硅促进航空电子系统设计演进
    2023-06-27 碳化硅促进航空电子系统设计演进
    随着碳化硅半导体技术的进步,航空电子系统也呈现了新的发展趋势。
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  • 三相SiC 栅极驱动器 碳化硅
    2023-06-17 三相SiC 栅极驱动器 碳化硅
    ‌CXT-PLA3SA12450AA 三相栅极驱动器的设计,源自已经得到充分测试验证的CMT-TIT8243 [1,2] 和CMT-TIT0697[3] 单相栅极驱动器板,分别设计用于62mm 1200V/300A 和快速开关XM3 1200V/450A SiC MOSFET 功率模块( 请参见图4)。三相栅极驱动器经过优化,可以直接安装在CXTPLA3SA12450功率模块的顶部,这归功于更为紧凑的变压器设计或略微调整的爬电距离设定。CXT-PLA3SA12450AA 栅极驱动器还包括直流总线电压监视功能。
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  • 三相 1200V/450A SiC MOSFET 电动汽车智能 功率模块
    2023-06-14 三相 1200V/450A SiC MOSFET 电动汽车智能 功率模块
    该智能功率模块是为高热环境的稳定性应用而设计的,额定的最高结温为175℃。栅极驱动器本身具备在最高环境工作温度为125℃的情况下、长时间工作的增强的耐热能力。
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