公司来自比利时,是高温半导体解决方案的领导者,专为极端温度与恶劣环境下的电源管理、功率转换与信号调节提供标准产品与定制解决方案。致力于为极端温度和恶劣环境下的电源管理、电源转换和信号调节提供标准产品和定制解决方案,旗下产品均可稳定工作在-55°C至+175°C,部分产品可达+225°C。
助力碳化硅器件性能发挥极致!
这款SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于Silicon Mobility的OLEA® APP INVERTER应用软件,实现了模块化的电气和机械集成。
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这款SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于Silicon Mobility的OLEA® APP INVERTER应用软件,实现了模块化的电气和机械集成。
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这款SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),并结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于OLEA® APP INVERTER的应用软件,从而实现了模块化的电气和机械集成。
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这款SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),并结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于OLEA® APP INVERTER的应用软件,从而实现了模块化的电气和机械集成。
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基于 CISSOID 的SiC逆变控制模块(ICMs),提供广泛的电压和功率范围,参考设计可支持高达850V的工作母线电压和350kW的功率输出,达到出色的52kW/升功率密度(60s峰值功率)。
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CXT-ICM3SA12550AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/550A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
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CXT-ICM3SA12450AAA 是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/450A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
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CXT-ICM3SA12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起。
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CMT-ICM3SB12340AAA是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
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EVK-PLA1199A是一款CISSOID 与Silicon Mobility公司一起 提供OLEA® COMPOSER - T222 SiC 逆变器入门开发套件模块,该模块在机械和电气上将 Silicon Mobility 的 T222 FPCU 控制器板和应用软件与三相 1200V/340A SiC MOSFET 智能模块集成在一起
查看详细Cissoid授权代理商:深圳市邦晶科技有限公司
公司来自比利时,是高温半导体解决方案的领导者,专为极端温度与恶劣环境下的电源管理、功率转换与信号调节提供标准产品与定制解决方案。致力于为极端温度和恶劣环境下的电源管理、电源转换和信号调节提供标准产品和定制解决方案,旗下产品均可稳定工作在-55°C至+175°C,部分产品可达+225°C。
CMT-PLA1BK12300MA 是一款 1200V/300A 半桥 IGBT 功率模块,采用先进的沟槽栅场截止 (TG-FS) 技术。该模块专为严苛的工业应用而设计,并符合相关标准,具有低饱和压降,可提供高达 450A 的连续直流集电极电流。此外,它还具有快速开关和短尾电流的特性,并配备了一个针对快速软反向恢复进行了优化的续流二极管。该模块保证在 -40 至 +175°C (Tj) 的整个结温范围内可靠运行。
查看详细CMT-PLA1BL12300MA 是一款基于沟槽栅场截止 (TG-FS) 技术的 1200V/300A 半桥 IGBT 功率模块。该模块专为严苛的工业应用而设计,并符合相关标准,具有低饱和压降,可提供高达 450A 的连续直流集电极电流。此外,它还具有快速开关和短尾电流的特性,以及针对快速软反向恢复而优化的续流二极管。该模块保证在 -40°C 至 +175°C (Tj) 的整个结温范围内可靠运行。
查看详细CXT-PLA3BG07820RA 是一款 750V/820A 三相 IGBT 功率模块,基于最新一代沟槽栅场截止 (TG-FS) 技术,专为最严格的汽车应用而设计和认证。该产品具有快速开关、短尾电流和易于并联等特点。它还配备了具有快速软反向恢复功能的续流二极管。
查看详细这款SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于Silicon Mobility的OLEA® APP INVERTER应用软件,实现了模块化的电气和机械集成。
查看详细这款SiC逆变器参考设计基于CISSOID独特的硬件和软件平台,在功率密度和效率方面设定了新的水平,为电动传动系统的碳化硅(SiC)逆变器的快速开发提供了可能。 该参考设计提供了一款3相1200V/550A的SiC MOSFET智能功率模块(IPM),结合了基于OLEA® T222 FPCU的控制板和基于Silicon Mobility的OLEA® APP INVERTER应用软件,实现了模块化的电气和机械集成。
查看详细CISSOID推出的基于SiC的完整“傻瓜型”逆变器参考设计,为用户提供了一个开箱即用的解决方案,可大幅降低开发难度和成本。
2024-03-29CISSOID与全球工程服务巨头EDAG集团达成合作,共同推进碳化硅牵引逆变器开发。双方整合SiC功率模块技术与电驱系统集成经验,为电动汽车制造商提供高效、紧凑且功能安全的逆变器平台。
2025-05-10ICM3S系列碳化硅逆变器控制模块通过ISO26262 ASIL-C功能安全认证。该模块融合英特尔®汽车级硬件与预认证软件,为电动汽车、工业自动化及可再生能源系统提供高定制化、即插即用的解决方案。
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